罗姆的SiC MOSFET应用于丰田全新纯电车型“bZ5”

SiC MOSFET基于碳化硅宽禁带材料，凭借3倍于硅的禁带宽度、10倍的临界击穿场强及3倍热导率，实现低损耗、高耐压与高效散热；虽结构原理与硅基MOSFET类似，但需攻克工艺难题。其技术优势正重塑功率器件格局，推动产业升级。

SiC MOSFET凭借宽禁带、高击穿场强、出色热导率及快电子饱和漂移速度等材料特性，结合平面栅与沟槽栅等结构设计优化及先进制造工艺，突破传统硅基功率器件在高温性能、导通电阻、开关速度等瓶颈，在多领域系统应用中提升效率与功率密度。

中国上海,2025年6月24日 -- 全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布,搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块,已应用于丰田汽车公司面向中国市场的全新跨界纯电动汽车(BEV)“bZ5”的牵引逆变器中。

SiC MOSFET借碳化硅宽禁带、高临界击穿电场强度及热导率特性，在传统MOSFET结构上优化栅极等设计。其通过栅压控沟道导通，因电子饱和速度高降低沟道电阻，在开关、导通、耐压及高温性能上颠覆传统硅基器件。

中国上海，2025年6月10日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，该模型提升了收敛性和仿真速度。