罗姆即将举办2018第五届“ ROHM技术研讨会”

中国上海,2025年6月10日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)”,该模型提升了收敛性和仿真速度。
SiC 功率模块基于 SiC 材料禁带宽度大、击穿电场强度高等特性,其芯片中 SiC MOSFET 与 SiC SBD 协同降低导通和开关损耗,搭配倒装芯片等先进封装技术,在多领域实现高效能功率转换,推动行业技术变革。
三相无刷电机驱动器借电子换向驱动电机,其性能优化需从多维度入手。控制算法上,矢量控制解耦电流提升动态响应,直接转矩控制简化结构减脉动;硬件设计中,功率器件选型、驱动电路设计及电源模块、散热、EMC 和传感器技术优化均为关键,各环节协同提升系统效能。
微控制器以高集成度、低功耗和可编程性,成为智能家居核心。从单品控制的基础逻辑处理,到联网控制集成无线通信模块,再到通过标准化协议实现全屋互联,同时兼具数据处理、抗干扰与故障诊断能力,推动智能家居技术落地。
在半导体技术发展下,GaN 凭高击穿电场等特性革新功率电子领域。其器件分增强型和耗尽型,主流增强型靠二维电子气工作,需栅极驱动器具高开关速度、低损耗等特性,有隔离和非隔离架构。