物联网全面引爆下的罗姆半导体
当前物联网科技高速发展,各国纷纷抢占发展制高点,各大科技巨头一齐抢滩布局产业链,风起云涌之状,堪比身处物联网的“战国时代”。然而喊了这么多年的物联网口号,许多产品仍然处于初级阶段,物联网应用领域过于“碎片化”难真正爆发,“唱衰”声音也此起彼伏。
锂电池的内阻是影响其性能和使用寿命的关键因素,通过IMP内阻技术可以精确测量。该技术基于充放电过程中的电压和电流变化关系推算内阻,并考虑温度、充放电状态等因素。电池的结构设计、原材料性能、制程工艺以及工作环境和使用条件均会影响锂电池内阻。极耳布局、隔膜结构、电极材料性能、制程工艺控制精度以及温度等因素共同决定了内阻的大小。
IGBT米勒效应是IGBT在工作时因内部电容效应导致输入端信号变化影响输出端电压和电流的特殊现象。它揭示了IGBT内部结构与外部电路间的相互作用,影响器件性能。为降低米勒效应,可选择合适晶体管和阈值设置,优化电路布局,采用负门极驱动方式或高频变换器技术。米勒效应对IGBT的放大倍数有显著影响,需在设计和分析中充分考虑。
锂电池隔膜击穿电压是电池安全性的关键指标,涉及隔膜材料、厚度、孔隙率及制作工艺等因素。优质的隔膜应具有高绝缘性能和机械强度,能承受大电场强度而不被击穿。在实际应用中,需严格测试和控制隔膜击穿电压,通过优化设计和工艺提升电池安全性。
电池储能(ESS)解决方案除了应用于工业、发电之外,在家庭住宅部分,也成为当前应用与市场发展的关键。住宅的ESS解决方案所需的功率较小,但对转换效率与安全性的要求,仍与工业应用相同。本文将为您介绍住宅ESS解决方案的市场趋势,以及艾睿电子与Rohm推出的SiC相关解决方案的功能特性。
智能停车位传感器正持续追求高精度与高稳定性,通过技术升级和先进材料应用实现更精准的停车位检测和更稳定的信号传输。未来发展方向包括多功能集成化、无线化与网络化、智能化与自适应性,以及绿色化与环保性。