罗姆的SiC-MOSFET与已经普及的Si-MOSFET具有相同的可靠性
本文就SiC-MOSFET的可靠性进行说明。这里使用的仅仅是ROHM的SiC-MOSFET产品相关的信息和数据。
ROHM SiC-MOSFET的可靠性
栅极氧化膜
ROHM针对SiC上形成的栅极氧化膜，通过工艺开发和元器件结构优化，实现了与Si-MOSFET同等的可靠性。
CCS TDDB（Constant Current Stress Time Dependent Dielectric Breakdown：恒流经时绝缘击穿）试验中，栅极氧化膜可靠性的指标–QBD（Charge to Breakdown）为15～20C/cm2，与Si-MOSFET同等。
另外，在旨在确认有关晶体缺陷的栅极氧化膜可靠性的HTGB（High Temperature Gate Bias：高温栅极偏压）试验（+22V、150℃）中，在装置中未发生故障和特性波动，顺利通过1000小时测试。
阈值稳定性（栅极正偏压）
SiC上形成的栅极氧化膜界面并非完全没有陷阱，因此当栅极被长时间施加直流的正偏压时，陷阱捕获电子而使阈值上升。
经HTGB试验证实，阈值偏移非常小，在Vgs=+22V、150℃的条件下1000小时后，仅为0.2～0.3V。大多数陷阱在施加应力初期的几十个小时内被填充，其后几乎没有变化，很稳定。
阈值稳定性（栅极负偏压）
反之，当栅极被长时间施加直流的负偏压时，空穴被捕获，阈值下降。在HTGB试验中，负偏压下的阈值变化程度大于正偏压，在Vgs为-10V以上时阈值下降超过0.5V。
第二代MOSFET（SCT2[xxx[]系列、SCH2xxx]系列）中，栅极负偏压的保证电压为-6V。请注意，当负偏压大于-6V时，阈值可能进一步降低。交流（正负）偏压时，反复进行对陷阱的充放电，因此偏移的影响很小。
体二极管的通电劣化
一般认为SiC-MOSFET存在称为“体二极管的通电劣化”的故障模式。这是正向电流持续流过MOSFET的体二极管时，电子-空穴对的重新复合能量使称为“堆垛层错”的缺陷扩大，影响到电流路径，使导通电阻和体二极管的Vf上升的模式。
堆垛层错使发热量增加，在某些情况下还会引起耐压性能下降。因此，在用于发生向体二极管换流的应用（逆变器、DC/DC转换器等）时，有可能会导致问题。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不会发生这类问题）
ROHM通过开发不会扩大堆垛层错的独特工艺，成功地确保了体二极管通电的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET产品中，实施了对体二极管进行1000小时的直流8A通电测试，结果如下。试验证明，所有特性如导通电阻，漏电流等都没有变化。
短路耐受能力
由于SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比具有更小的芯片面积和更高的电流密度，因此对于导致热击穿的短路的耐受能力往往比Si-MOSFET低。TO247封装的1200 V级MOSFET中，Vdd=700V、Vgs=18V时的短路耐受时间约为8～10μs。随着Vgs降低，饱和电流减小，所以耐受时间变长。另外，Vdd较低时发热量也会减少，所以耐受时间会更长。
由于关断SiC-MOSFET所需的时间非常短，所以当Vgs的断路速度很快时，急剧的dI/dt可能会引发较大的浪涌电压。请使用逐渐降低栅极电压的软关断功能等，并在没有过电压的情况下关断。
dV/dt破坏
Si-MOSFET存在一种由于dV/dt过高而通过电容Cds流过瞬态电流，寄生双极晶体管工作导致损坏的模式。ROHM的SiC-MOSFET由于寄生双极晶体管的电流放大倍数hFE较低，因而不会发生电流放大，截至目前的调查中，即使在50kV/µs左右的工作条件下，也未发生这种损坏模式。关于体二极管快速恢复时的dV/dt，一般认为由于SiC-MOSFET的快速恢复电流非常小，快速恢复时的dI/dt很小，所以dV/dt也不会增加，不易发生这种损坏模式。
宇宙射线引起的中子耐受能力
在高原应用中，受宇宙射线影响，少数进入地面的中子或重离子有时会引发半导体器件的单粒子效应，这已成为需要解决的问题。在对SiC-MOSFET（n=15）进行的白色中子照射试验（能量：1～400MeV，由大阪大学核物理研究中心RCNP实施）中，在Vds=1200V（额定耐压的100%）条件下实施1.45×109 neutrons/cm2/s的中子照射后，结果并未发生由于单粒子效应引发的故障。海拔0m处的故障率为0.92FIT，海拔高度4000m处也仅为23.3FIT，故障率比同等级Si-IGBT和Si-MOSFET低3～4个数量级。耐压实力值更高，并具有足够的余量，从而可以在高原应用或多个使用的应用中，降低因宇宙射线引起的中子诱发故障的风险。
静电击穿耐受能力
SiC-MOSFET的优点是芯片尺寸可以比Si-MOSFET小，但另一方面，静电击穿（ESD）耐受能力却较低。因此，处理时需要采取充分的防静电措施。
静电对策举例
・利用离子发生器除去人体、元器件、作业环境中的静电（推荐）
・利用腕带、接地除去人体、作业环境中的静电（元器件带电时无效，所以仅此对策还不够）
各种可靠性试验结果
以日本广泛采用的JEITA（原“EIAJ”）ED-4701作为用来评估半导体的测试方法，其可靠性试验结果如下。从结果可以看出，ROHM的SiC-MOSFET具有足够的可靠性。
关键要点:
・ROHM的SiC-MOSFET与已经普及的Si-MOSFET具有相同的可靠性。
碳化硅(SiC)肖特基二极管凭借零反向恢复特性，可消除临界导通模式(CRM)升压变换器的高频换流损耗。测试表明，该方案使整机效率稳定突破99%，逼近拓扑理论极限。CRM升压变换器广泛应用于新能源功率因数校正(PFC)、光伏直流升压等场景。其软开关特性可有效降低硬开关拓扑的器件损耗。但传统硅基快恢复二极管存在固有反向恢复效应。 硅基二极管在高频换流中会产生明显的反向恢复损耗与关断震荡。这成为制约CRM变换器效率突破的核心瓶颈。硅基器件的载流子存储效应无法消除，存在不可逾越的效率上限。相比之
超低功耗物联网(IoT)节点电源设计的核心，在于平衡低压差线性稳压器(LDO)静态电流与负载瞬态输出电压纹波。本文剖析二者制衡机理，提出动态偏置选型、复合滤波与工况自适应调控策略，实现微安级待机与瞬态低纹波优化。
IGBT智能功率模块（Intelligent Power Module, IPM）内部寄生电感会引发高频开关时序偏移与动态温升偏差，导致伺服驱动死区时间自适应补偿失准。构建死区精准补偿与动态过温降额协同设计方案，可有效解决控制精度与热稳定性的制衡矛盾。高精度伺服驱动系统依托矢量控制、高频脉冲宽度调制（Pulse Width Modulation, PWM）与死区时间自适应补偿技术，实现电机转矩精准输出与转速平稳调控。
软恢复型器件通过优化芯片少子寿命分布与PN结结构，平缓关断瞬态突变过程，削弱高频扰动生成强度。本文解析图腾柱PFC电路CM/DM噪声的生成机理，对比软硬恢复二极管的瞬态开关特性，阐明软恢复特性对两类噪声的分层抑制路径与底层物理机制。
开关二极管（Switching Diode）的少子寿命（Minority Carrier Lifetime）直接决定其反向恢复波形与高频频谱特征，进而通过寄生耦合引发高速时钟分配网络（High-Speed Clock Distribution Network）的时序抖动与相位偏移。本文建立从半导体物理机理到频谱干扰的系统模型，为高速时序系统的低干扰设计提供理论支撑。
.png)
