罗姆首次亮相“中国汽车电子技术展”
全球知名半导体厂商—罗姆（ROHM）于2018年8月28-30日在深圳会展中心举办的第二届“中国汽车电子技术展（Automotive World China 2018）”上首次亮相。此次罗姆展出了以SiC SBD、SiC MOSFET等SiC功率元器件为首的汽车电子相关产品和技术。此外，在同期举办的“新能源汽车材料及关键元器件技术大会”上，罗姆工程师向与会者分享了“面向新能源汽车的SiC解决方案”的技术演讲，与行业人士共同探讨汽车电子技术和市场发展前景。
罗姆展台掠影（展位号：2A01）
罗姆工程师在“新能源汽车材料及关键元器件技术大会”上发言
作为SiC功率元器件的领先企业，拥有60年历史的全球知名半导体厂商——罗姆秉承“品质第一”的企业理念，自上世纪90年代以来，着手于SiC功率元器件的量产化，在2010年于全球首家成功实现了SiC-DMOS的量产化 ，一直以来不断扩充量产产品阵容。此外，罗姆在SiC生产中确立了垂直统合型生产体制，在2009年将德国SiC晶圆制造商—SiCrystal公司纳入旗下之后，从晶圆到封装的所有工序均开展了品质改善活动。在通行世界的制造技术实力以及稳定的生产能力的基础上，罗姆努力提高成本竞争力，致力于新产品的进一步长期稳定供应。在此次展会上，罗姆重点展示了以下产品和技术：
・以先进SiC功率元器件为首的综合电源解决方案
针对主逆变器、DC/DC转换器、车载充电器、电动压缩机等这些在新能源汽车中重要性凸显的大电流区域，罗姆发挥综合性半导体厂商的优势，提供以先进SiC功率元器件为首的综合电源解决方案。
・罗姆SiC技术在Formula-E中的应用
罗姆在2016年成为 “Formula E国际汽联电动方程式锦标赛”的参赛车队—Venturi（文图瑞）电动方程式车队的官方技术合作伙伴，自2016年10月开幕的第三赛季起，为逆变器这一赛车核心驱动部件提供全球先进的SiC功率元器件，大幅降低了赛车逆变器的能量损耗，并且通过逆变器的大幅度小型轻量化，进一步对赛车的性能提高作出了贡献。
“中国汽车电子技术展览会”由中国国际贸易促进委员会电子信息行业分会和励展博览集团主办，展会汇聚业界具有影响力的展商，包括车身电子展区、自动驾驶展区、智能网联技术展区、新能源汽车技术展区等知名企业，为中国的汽车工程师们带来具有前瞻性与创新力的技术解决方案。
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）将于11月12日至15日参加在德国慕尼黑举办的世界领先的电子元件、系统、应用和解决方案贸易展览会和会议—2024慕尼黑电子展（简称electronica2024），展位号为C3-520。罗姆将展示其先进的功率和模拟技术，旨在提高汽车和工业应用中的功率密度、效率和可靠性。
株式会社电装（总部位于日本爱知县刈谷市，社长：林 新之助，公司名以下简称“电装”）和ROHM Co., Ltd.（总部位于日本京都市右京区，社长：松本 功，公司名以下简称“罗姆”）宣布，双方已就在半导体领域建立战略合作伙伴关系事宜达成协议。
JFET（结型场效应晶体管）是一种由n型或p型沟道区及两侧相反类型的栅极区构成的半导体器件。其工作原理基于电场对沟道区导电性能的控制，通过调节栅极电压来改变沟道宽度，进而控制源极到漏极的电流。JFET在音频放大器等应用中因低噪声特性而备受青睐，提供清晰无杂音的音频信号。它具有高输入阻抗、低输出阻抗和线性增益等电气性能，适合在音频放大器、信号处理器等领域使用。
半导体漂移区是器件的关键部分，其工作原理基于载流子在电场作用下的定向移动。漂移区的尺寸和掺杂情况直接影响电流传输速度和效率，而电场强度决定了载流子运动的情况。在没有外加电场时，载流子运动随机，不产生净电流；施加电场后，载流子受电场作用力产生定向运动，形成电流。在强电场下，载流子速度会饱和。因此，优化漂移区和电场强度对于提升半导体器件性能至关重要。
全球知名半导体制造商罗姆于2024年3月31日将整合在中国的三家销售公司(“ROHM Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd.”、“ROHM Semiconductor (Beijing) Co., Ltd.”、“ROHM Semiconductor (Shenzhen) Co., Ltd.”)。
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