罗姆加强GaN功率器件供应能力
中国上海，2026年3月2日——全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，决定将自身拥有的GaN功率器件开发和制造技术，与合作伙伴台积公司（TSMC）的工艺技术相融合，在集团内部建立一体化生产体系。通过获得台积公司的GaN技术授权，罗姆将进一步增强相应产品的供应能力，从而满足AI服务器和电动汽车等领域对GaN产品日益增长的需求。
GaN功率器件具有优异的高电压和高频特性，有助于应用产品实现更高效率和更小体积，因此已被广泛应用于AC适配器等消费电子产品。此外，其在AI服务器的电源单元及电动汽车（EV）的车载充电器等高电压领域的应用也日益广泛，预计未来需求还将持续扩大。
罗姆很早就开始着手开发GaN功率器件，并于2022年3月在罗姆滨松工厂建立了150V GaN的量产体系。在中等功率领域，罗姆在积极开展外部合作的同时不断完善供应体系。其中，台积公司是罗姆非常重要的合作伙伴之一，自2023年起，罗姆就采用了台积公司的650V GaN工艺，双方还于2024年12月缔结了关于车载GaN的合作伙伴关系，并一直在不断深化合作关系。
本次技术融合正是双方合作伙伴关系进一步深化的印证，在签订授权合同后，台积公司的工艺技术将转移给罗姆滨松工厂。罗姆计划在2027年内建立起相应的生产体系，以应对AI服务器等领域不断扩大的需求。
随着技术转移的完成，双方关于车载GaN的合作伙伴关系将告一段落，但双方还将继续加强合作，共同致力于推动电源系统的效率提升和小型化。
文章转自罗姆官网
针对氮化镓器件阈值低、栅极耐压窗口窄及高频下寄生参数敏感的特性，专用栅极驱动器通过集成高精度稳压与强下拉能力，精确控制驱动电压并抑制米勒导通。其可调驱动强度和斜率控制能优化开关轨迹，平衡损耗与电磁干扰。高集成度设计缩短了传输延迟，实现了精确的时序配合，从而助力提升开关频率、缩小无源元件体积，是构建超高功率密度DC-DC变换器的核心支撑。
氮化镓功率器件的核心优势源于异质结界面二维电子气（2DEG）的物理机制。极化效应形成的高密度、高迁移率导电通道赋予器件极低导通电阻与寄生电容，使其能突破传统硅限，在高频开关中实现高效率与高功率密度，驱动电源系统向小型化演进。
中国上海，2026年3月2日——全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，决定将自身拥有的GaN功率器件开发和制造技术，与合作伙伴台积公司（TSMC）的工艺技术相融合，在集团内部建立一体化生产体系。通过获得台积公司的GaN技术授权，罗姆将进一步增强相应产品的供应能力，从而满足AI服务器和电动汽车等领域对GaN产品日益增长的需求。
GaN HEMT技术凭借其宽禁带材料特性，为新能源汽车电驱与能源系统带来变革。其在主驱逆变器中探索高频化以提升效率与功率密度，在车载DC-DC及OBC中已加速实现高频高效应用，显著提升功率密度与转换效率。然而，其规模化应用仍面临栅极驱动、高频布局设计、车规级可靠性及成本等系列挑战。
氮化镓高电子迁移率晶体管凭借其宽禁带特性带来的高击穿电场与异质结形成的二维电子气，实现了极低导通电阻与超快开关速度。这使得开关电源工作频率得以迈向兆赫兹级别，大幅降低了开关损耗与无源元件体积，从而在提升效率与功率密度的同时，推动了电力电子系统向更高性能与小型化方向演进。
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