ROHM面向车载48V系统开发出MOSFET新产品“AG16xFNxx系列”！
中国上海，2026年5月28日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，面向车载应用中日益普及的48V电源系统，推出80V耐压MOSFET“AG16xFNxx系列”。
新产品采用HPLF5060（4.9mm×6.0mm）和DFN3333（3.3mm×3.3mm）封装，与车载MOSFET中常见的TO-252（6.6mm×10.0mm）等封装相比，有望进一步实现小型化。另外，HPLF5060封装采用鸥翼型引脚，DFN3333封装的引脚采用可润湿侧翼（Wettable Flank）成型技术，均有助于提升电路板安装时的可靠性。同时，通过铜夹片键合技术提升散热性能，使得新产品能够支持大电流。该系列产品均符合AEC-Q101车规标准，满足车载产品严苛的可靠性要求。
从2026年4月起，新产品AG160FNS4FRA（HPLF5060封装）和AG166FNH7FRA（DFN3333封装）已投入量产（样品价格：500日元/个，不含税）。另外，新产品已开始网售，通过电商平台均可购买。ROHM计划在近期进一步扩充这些封装的产品阵容。此外，公司也已着手开发TOLG（TO-Leaded with Gullwing）封装产品（9.9mm×11.7mm），以进一步扩充大功率、高可靠性的80V耐压MOSFET产品群。
＜开发背景＞
在车载领域，以高端车型为主的汽车对电力的需求不断增长，48V系统作为替代以往12V系统的高效供电手段受到广泛关注，预计其在2030年前后将得到普及。为进一步降低损耗，要求相应的MOSFET为80V耐压产品，而非通常的100V耐压产品。为满足这一需求，ROHM新开发出80V耐压的MOSFET产品。该产品兼具小型化与高安装可靠性，能够满足不断发展的车载市场多样化需求。
| 产品型号 | 数据表 | ch |
VDSS [V] |
ID [A] |
RDS(ON) (Max.) (10V) [mΩ] |
Qg (10V) [nC] |
Ciss [pF] |
封装 |
符合 AEC-Q101 标准 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 AG160FNS4FRA |
 |
N | 80 | 120 | 3.2 | 53 | 3910 |
HPLF5060 |
YES |
| ☆ AG161FNS4FRA | - | 4.2 | 44 | 2880 | |||||
| ☆ AG162FNS4FRA | - | 79 | 12 | 15.2 | 960 | ||||
| ☆ AG163FNS4FRA | - | 32 | 33 | 6.8 | 340 | ||||
| ☆ AG165FNH7FRA | - | N | 80 | 40 | 7.9 | 22 | 1450 |
DFN3333 |
|
|
AG166FNH7FRA |
|
11.7 | 15.2 | 960 | |||||
| ☆ AG167FNH7FRA | - | 32 | 33 | 6.8 | 340 |
☆: 开发中
＜应用示例＞
车载48V系统：主驱逆变器控制电路、电机、电动水泵等
文章转自罗姆官网
中国上海，2026年6月16日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出600V耐压超级结MOSFET*1新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。
中国上海，2026年5月28日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，面向车载应用中日益普及的48V电源系统，推出80V耐压MOSFET“AG16xFNxx系列”。
面向物联网终端的MOSFET热管理设计，需从导通与开关损耗分析入手，结合限流保护、热关断及封装热路径优化抑制过热失效，并通过低RDS(on)器件选型与动态驱动控制，适应高低温环境对导通电阻和阈值电压的漂移影响，保障系统稳定性。
中国上海，2025年12月18日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，适用于主驱逆变器控制电路、电动泵、LED前照灯等应用的车载低耐压（40V/60V）MOSFET产品阵容中，又新增HPLF5060（4.9mm×6.0mm）封装产品。
中国上海，2025年11月11日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出实现业界超宽SOA*1范围的100V耐压功率MOSFET“RS7P200BM”。该款产品采用5060尺寸（5.0mm×6.0mm）封装，非常适用于采用48V电源AI服务器的热插拔电路*2，以及需要电池保护的工业设备电源等应用。
.png)
