顶面散热新封装！ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET
中国上海，2026年7月9日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封装。新产品为可自动安装的表贴型产品，通过采用将散热面置于封装顶部的结构，实现了与插装型封装（TO-247-4L）同等级别的散热性能。在将该器件用于电动汽车（xEV）的车载充电器（OBC）和电动压缩机等应用时，可有助于提升功率转换电路的效率和可靠性。
新产品通过采用ROHM自有的沟槽设计，确保了6.66mm业界先进水平的爬电距离。新产品不仅与市场上广泛普及的封装兼容，同时，还实现了污染等级2级*2环境下1200V交流峰值电压耐受能力。因此，在高耐压应用中可实现安全的绝缘设计，有助于降低安装成本并提高可靠性。
另外，通过搭载ROHM第4代SiC MOSFET，还实现了低导通电阻和高速开关特性。这使得功率转换时的开关损耗大幅降低，有助于应用产品进一步提高效率并更加节能。
新产品已于2026年6月开始量产（样品价格：5500円日元/个，不含税），且同时开始线上销售。此外，ROHM官网还提供仿真模型，助力客户快速进行电路评估。
未来，ROHM将通过进一步扩充SiC MOSFET产品阵容，为电子设备实现更高性能、更小体积与更高可靠性提供支持。
| Part No. for Consumer |
Data Sheet |
Part No. for Automotive (AEC-Q101 Qualified) |
Data Sheet |
VDSS (Max.) [V] |
RDS(ON) (Typ.) [mΩ] |
ID (Max.) [A] |
|---|---|---|---|---|---|---|
 SCT4013DTW |
 |
SCT4013DTWHR |
|
750 | 13 | 102 |
|
SCT4020DTW |
|
SCT4020DTWHR |
|
20 | 69 | |
|
SCT4026DTW |
|
SCT4026DTWHR |
|
26 | 54 | |
|
SCT4036DTW |
|
SCT4036DTWHR |
|
36 | 40 | |
|
SCT4045DTW |
|
SCT4045DTWHR |
|
45 | 33 | |
|
SCT4065DTW |
|
SCT4065DTWHR |
|
65 | 24 | |
|
SCT4018KTW |
|
SCT4018KTWHR |
|
1200 | 18 | 79 |
|
SCT4027KTW |
|
SCT4027KTWHR |
|
27 | 54 | |
|
SCT4036KTW |
|
SCT4036KTWHR |
|
36 | 41 | |
|
SCT4050KTW |
|
SCT4050KTWHR |
|
50 | 31 | |
|
SCT4062KTW |
|
SCT4062KTWHR |
|
62 | 25 | |
|
SCT4090KTW |
|
SCT4090KTWHR |
|
90 | 18 |
＜开发背景＞
在电动汽车（xEV）中，为了提高充电速度并延长续航里程，除了主驱逆变器外，SiC器件在车载充电器（OBC）和电动压缩机等的功率转换电路中的应用也在不断扩大。另外，在工业设备领域，作为有助于高性能服务器电源和光伏逆变器等设备高效工作的器件，SiC器件的应用也持续增长。传统的SiC器件为了在大功率运行时有效散热，主要采用的是散热性能优异的插装型封装。但是，插装型封装不仅涉及手工安装工序，还存在因封装形状限制而难以实现薄型化的问题。对此，近年来可自动安装的表贴型SiC器件开始普及。新产品采用表贴型封装，却实现了与TO-247等插装型封装同等级别的散热性能。
＜应用示例＞
- 车载设备：车载充电器（OBC）、电动压缩机等
- 工业设备：光伏逆变器、服务器电源等
文章转自罗姆官网
碳化硅（Silicon Carbide, SiC）肖特基二极管的零反向恢复电荷特性，可彻底消除高频功率因数校正（Power Factor Correction, PFC）电路的开关损耗瓶颈。本文剖析该特性的物理机理，重构高频PFC电路的损耗分配体系，解决传统硅基设计在器件替换后的损耗失衡问题，实现电路效率与功率密度的协同最优。
碳化硅（Silicon Carbide, SiC）肖特基二极管（Schottky Barrier Diode, SBD）凭借多子导电机制与无反向恢复特性，可彻底解决高频开关电源的损耗瓶颈。本文剖析其低损耗机理，构建高频电源效率优化体系。
SiC MOSFET导通电阻高温退化的根源在于晶格散射加剧导致沟道载流子迁移率下降及栅氧界面态缓慢退化，形成“结温攀升—电阻增大—损耗激增”的热电正反馈循环，直接诱发高负荷工况下电驱转换效率锐减与续航衰减，亟待从动态栅压补偿、低热阻封装及工况自适应调控等维度构建系统性抑制策略以稳定高温导通性能。
SiC MOSFET高温下沟道载流子散射加剧与漂移区缺陷活化，引发导通电阻非线性退化，并通过正反馈热累积效应持续劣化车载充电效率；基于极限结温优选低漂移器件、引入温度自适应驱动补偿及强化动态散热，可阻断热-阻恶性循环，实现高温快充场景下充电能效与长期运行可靠性的协同提升。
中国上海，2026年7月9日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封装。新产品为可自动安装的表贴型产品，通过采用将散热面置于封装顶部的结构，实现了与插装型封装（TO-247-4L）同等级别的散热性能。在将该器件用于电动汽车（xEV）的车载充电器（OBC）和电动压缩机等应用时，可有助于提升功率转换电路的效率和可靠性。
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