SiC器件需求旺，罗姆建新厂扩产
目前世界正掀起前所未有的节能浪潮，业界对于可有效提升能源效率的SiC功率器件充满期待。
日本半导体器件制造罗姆（ROHM）为满足日渐升高的SiC功率器件生产需求，决定增建新厂房。
据悉，新厂房位于罗姆集团旗下ROHM Apollo Co., Ltd.在福冈县筑后市的工厂内，目前正在进行相关细部设计，预计于2019年动工，并于2020年竣工完成。
罗姆自2010年开始量产SiC功率器件（SiC-SBD、SiC-MOSFET）以来，领先业界进行各项新技术开发，是全球第一家进行全SiC功率模组和沟槽结构SiC-MOSFET量产的半导体公司。在制造方面，罗姆集团在2009年收购德国SiCrystal后，在SiC领域形成从晶圆制造到功率模块一体化，构建了垂直整合生产体制，致力于强化晶圆大尺寸制程，并积极导入最新设备来提高生产效率。
罗姆共有11座晶圆厂，包括一座12寸晶圆。而ROHM Apollo Co., Ltd.有三座晶圆厂，皆位于福冈县筑后市，其中2座6寸，1座8寸。其中有一座6寸厂配有SiC生产设备。
今后，罗姆集团将持续掌握市场需求，在强化生产能力的同时，严格贯彻多点生产体制、库存管理、设备防灾等措施，致力于稳定供货以满足客户所需。
碳化硅（SiC）的比热容是其关键物理性质，随温度变化而展现独特优势，尤其在高温应用中。当前，通过实验测定和理论计算，科学家们已对碳化硅的比热容进行了深入研究，揭示了其随温度升高的增大趋势及受纯度、晶粒大小、制备工艺影响的规律。
MOS管过流保护的核心原理是通过监测负载电流，并在电流超过设定阈值时切断MOS管的导通状态，以防止电路受损。实现这一保护的关键在于使用过流检测电阻和比较器来检测和控制电流。在实际应用中，还需考虑SOA等辅助电路以增强保护效果。
碳化硅（SiC）的比热容是其关键热学性质，随温度升高而增大，展现了在高温环境下的出色热稳定性。SiC的比热容受纯度、晶体结构和颗粒大小等因素影响。高比热容使SiC在电子器件、陶瓷材料和核反应堆等领域有广泛应用。通过控制晶粒尺寸、减少杂质、引入高导热第二相材料和表面改性，可优化SiC的热性能。
锂电池的内阻是影响其性能和使用寿命的关键因素，通过IMP内阻技术可以精确测量。该技术基于充放电过程中的电压和电流变化关系推算内阻，并考虑温度、充放电状态等因素。电池的结构设计、原材料性能、制程工艺以及工作环境和使用条件均会影响锂电池内阻。极耳布局、隔膜结构、电极材料性能、制程工艺控制精度以及温度等因素共同决定了内阻的大小。
IGBT米勒效应是IGBT在工作时因内部电容效应导致输入端信号变化影响输出端电压和电流的特殊现象。它揭示了IGBT内部结构与外部电路间的相互作用，影响器件性能。为降低米勒效应，可选择合适晶体管和阈值设置，优化电路布局，采用负门极驱动方式或高频变换器技术。米勒效应对IGBT的放大倍数有显著影响，需在设计和分析中充分考虑。
