揭秘SiC!ROHM线上研讨会火热报名中!

分享到:

EV(电动汽车)不仅是当今环保潮流的宠儿,更通过体育竞技赛事的Formula E高速掠过喧嚣的纽约、巴黎、香港等大城市的公共道路,让大家领略了电动汽车的科技感和魅力。

1

 

如何最大限度地利用电力?而能否毫无浪费地使用电力?能够给性能带来飞速提升的,就是SiC功率元器件。

 

罗姆为EV的核心器件——逆变器提供SiC模块以及加速EV创新的SiC功率元器件,大大减少了逆变器的尺寸和重量,实现了小型轻量化,在赛车性能的提升上功不可没。而罗姆近年来砥砺前行,旨在以创新的SiC功率元器件助力解决能源相关的未来社会课题。

 
如今,在节能与环保被频繁的提及的大时代背景下,集小型化与低损耗于一身的SiC(碳化硅)材料已然成为舞台的主角。

 

想全面了解ROHM SiC功率元器件的更多精彩内容吗?

 

2019年7月24日10点,ROHM将在微信上举办以“SiC元器件在电动车市场的应用”为主题的线上技术研讨会。届时将会有ROHM 专业高级工程师亲身现场讲解,全面剖析SiC元器件特点与性能,并带大家详细了解SiC功率元器件在EV领域的详细目标应用。

 

本次技术研讨会将着重讨论SiC这一材料对于这个市场将带来怎么样的影响,而作为业内知名企业ROHM的SiC产品又能带来怎样的贡献。结合SiC材料本身的的特点、优势以及市场来对这个材料进行系统性的分析。

 

 

手机屏幕及电脑屏幕前的你还在等着些什么?快扫描下方二维码报名参与此次的ROHM线上技术研讨会吧!

 

2

 

研讨会时间:2019年7月24日 10:00
 
 

 

 

 

 

另外,ROHM君还准备了更多好礼等您接回家哟,在过去的研讨会基础上又进行了升级!

 

宣传礼(8名) -  50元京东卡

将活动讯息转发到朋友圈,并截图私信给罗姆微信公众号,即有机会赢取价值50元京东电子卡。

 

3

 

早鸟礼(5名) - 小米耳机

在线报名成功后,从微课堂当天10点开始计时,前5位进入直播现场打招呼的罗姆粉丝,我们将送出小米耳机。

4

好学礼(10名) - 小米充电宝

微课堂过后还设有Q&A环节,我们将从提出课堂相关问题的罗姆粉丝中随机抽取10名幸运观众,送出小米充电宝。

 

5

 

问卷礼(5名) - 英雄宝珠笔

我们将从填写调查问卷的罗姆粉丝中抽取5名幸运观众,送出价值50元的英雄宝珠笔。

6

 
 
提示
 
 
问卷礼注意事项
 

 

 
 

在研讨会开始后,您可再次进入报名时页面,即可看到“调查问卷”入口,欢迎对本次研讨会提出您宝贵的意见。回答简单问题即有机会中奖,万望大家不要忘记会后参与~ 

 *请注意,想获得以上好礼都需要关注“罗姆微信公众号“ 哦!京东卡是电子卡,将会提供给中奖者卡号和密码

活动最终解释权由罗姆所有

继续阅读
SiC仿真:塑造电力电子未来发展趋势

SiC仿真工具作为SiC功率器件研发的关键支持,其未来发展方向多元化且与应用领域紧密相关。未来,SiC仿真工具将注重提高精度和效率,更新丰富模型库以适应新型器件结构,与其他设计工具、测试平台集成实现研发闭环,应用智能化技术提升自动化和智能优化水平。

碳化硅元器件:强化可靠性验证新策略(下)

碳化硅材料在电力电子和航空航天等领域的应用日益广泛,其可靠性验证至关重要。碳化硅材料因其高温稳定性、高硬度和抗辐射能力而受到青睐。然而,可靠性验证面临高成本、长周期、技术难度和影响因素多等挑战。未来研究将注重极端环境下的性能评估与失效机理研究,以提升碳化硅元器件的可靠性。通过深入探索失效机理和建立寿命预测模型,有望为碳化硅元器件的稳定性和安全性提供有力保障。

碳化硅元器件:强化可靠性验证新策略(上)

碳化硅作为一种高性能陶瓷材料,在极端环境下表现出优异的稳定性,广泛应用于电力电子和航空航天领域。其可靠性验证涉及模拟多种实际工作环境和条件,包括温度、湿度、振动等,以评估元器件在实际使用中的可靠性。验证过程中还需关注电气性能变化、结构和工艺缺陷,并通过数据分析与评估提出改进建议。具体测试方法包括温度循环、湿度测试、振动冲击模拟,以及电气性能测试如绝缘电阻、耐压和负载能力测试。

SiC功率器件寒天维护指南(下)

SiC功率器件在寒冷冰雪天气下性能可能受多方面影响,如导电性能、响应速度和转换效率降低,材料特性变化,散热效率降低,表面结冰等。设计和选择时需考虑环境适应性。维护功率器件对于确保其性能稳定、延长使用寿命、避免系统崩溃和提高经济效益至关重要。

SiC功率器件寒天维护指南(上)

在寒冷冰雪天气下,维持功率器件的正常运行效率至关重要。由于低温影响电子迁移率,需要采取保温措施确保器件在适宜温度范围内工作。同时,散热、电源稳定性和防冰雪设计也必不可少。软件优化可以弥补硬件性能在低温下的损失。电子迁移率降低的原因包括热激发减少、晶格振动减弱、杂质和缺陷的阻碍作用增强以及载流子浓度降低。