ROHM推出新型自我诊断功能的电源监控IC
近年来,汽车领域的ADAS和自动驾驶技术的创新正在迅速发展,越来越需要有助于防事故于未然的功能(防撞功能、车道保持功能等)。与此同时,对于所搭载的半导体,要求在产品开发时就要考虑到发生问题时如何确保安全(Fail-safe失效保护功能),以ECU为主纷纷配置自我诊断等有助于实现功能安全的功能。
ROHM于2017年在业内率先推出由液晶驱动器和电源IC等组成的支持功能安全的液晶面板芯片组,于2018年取得了国际功能安全标准“ISO26262”的开发流程认证,并一直在推进支持汽车功能安全的产品开发。此次,考虑到系统的安全性和冗余性,ROHM开发出内置自我诊断功能的电源监控IC,将自我诊断功能和各种监控功能集成在独立的电源监控IC中而非ECU和电源中,可轻松赋予现有电源功能安全性。
与ADAS用传感器模块等所搭载的电源系统相比,“BD39040MUF-C”这款电源监控IC无需改变现有的电源时序(开启顺序),仅需直接外置即可赋予功能安全所需的监控功能。不仅具备功能安全所必须的电压监测功能(Power Good功能、复位功能)和ECU的频率监测功能(看门狗定时器)等,还在电源监控IC中内置了自我诊断功能。利用ROHM独有的技术对监测功能进行自我诊断,可检查电源监控IC本身潜在的故障,且不会对现有系统产生影响,因此,非常有助于构建功能安全所要求的更安全的系统。不仅如此,将这些功能集成在仅3mm见方的小型封装中,非常适用于要求小型化的ADAS应用中。
本产品已于2019年2月开始出售样品(样品价格500日元/个,不含税),预计将于2019年8月开始暂以月产10万个的规模投入量产。前期工序的生产基地为ROHM Hamamatsu Co.,Ltd.(日本滨松市),后期工序的生产基地为ROHM Electronics Philippines Inc.(菲律宾)。
未来ROHM将继续开发有助于实现系统优化以及进一步节能的产品,不断为ADAS和自动驾驶等汽车技术创新贡献力量。
BD39040MUF-C”是一款内置自我诊断功能的电源监控IC,具有以下特点,有助于建立ADAS、自动驾驶所需的功能安全系统。
碳化硅（SiC）的比热容是其关键物理性质，随温度变化而展现独特优势，尤其在高温应用中。当前，通过实验测定和理论计算，科学家们已对碳化硅的比热容进行了深入研究，揭示了其随温度升高的增大趋势及受纯度、晶粒大小、制备工艺影响的规律。
MOS管过流保护的核心原理是通过监测负载电流，并在电流超过设定阈值时切断MOS管的导通状态，以防止电路受损。实现这一保护的关键在于使用过流检测电阻和比较器来检测和控制电流。在实际应用中，还需考虑SOA等辅助电路以增强保护效果。
碳化硅（SiC）的比热容是其关键热学性质，随温度升高而增大，展现了在高温环境下的出色热稳定性。SiC的比热容受纯度、晶体结构和颗粒大小等因素影响。高比热容使SiC在电子器件、陶瓷材料和核反应堆等领域有广泛应用。通过控制晶粒尺寸、减少杂质、引入高导热第二相材料和表面改性，可优化SiC的热性能。
锂电池的内阻是影响其性能和使用寿命的关键因素，通过IMP内阻技术可以精确测量。该技术基于充放电过程中的电压和电流变化关系推算内阻，并考虑温度、充放电状态等因素。电池的结构设计、原材料性能、制程工艺以及工作环境和使用条件均会影响锂电池内阻。极耳布局、隔膜结构、电极材料性能、制程工艺控制精度以及温度等因素共同决定了内阻的大小。
IGBT米勒效应是IGBT在工作时因内部电容效应导致输入端信号变化影响输出端电压和电流的特殊现象。它揭示了IGBT内部结构与外部电路间的相互作用，影响器件性能。为降低米勒效应，可选择合适晶体管和阈值设置，优化电路布局，采用负门极驱动方式或高频变换器技术。米勒效应对IGBT的放大倍数有显著影响，需在设计和分析中充分考虑。
