需求暴增,MOSFET又要缺货了!

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Duang的一声,MOSFET又要缺货了!
 
今年3月份的时候,受到库存调整、淡季需求转弱等影响,MOSFET的价格开始回落,再加上中美贸易战的影响,各产品需求转弱,大家下单都比较保守,MOSFET厂也只能降价巩固市占率,市场逐渐冷静了下来。
 
随着第三季度的开启,原本趋于稳定的市场突然反转,需求暴增,缺货的消息又来了!
 
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市场需求强劲复苏
虽然说很多IDM厂说要扩大MOSFET的产能,但上半年市场确实不咋样,大家也就说说而已,把计划留在了纸上。
 
不过进入第三季度以来,MOSFET的市场需求强劲复苏。市面上的通信设备要开始更新换代了,新一代的处理器提高了MOSFET的用量,ADAS用汽车电子增加传感器也要增加MOSFET的用量。还有下半年即将爆发的5G基础建设,基站设备的MOSFET使用量是4G的好几倍。
 
除此之外,比特币价格飙升也是一个影响因素。前段时间都比特币价格突破了13000美元,虽然今天好像跌破10000美元了。但相较于2019年3月份的3000美元,可以说是暴涨了,这也重新点燃了挖矿商的激情,进而带动MOSFET的需求增长。
 
环境不稳定
目前中美贸易战处于暂缓的状态,但具体会谈成怎样还不确定。又加上最近日韩之间的纠纷,国际上的情势变化太快,让人捉摸不透,连空气中都充斥着不确定性。
 
在这个节骨眼上,万一要是出点意外,整个供应链断了,麻烦不小。于是上半年都很淡定的汽车电子企业、搞通信的以及ODM/OEM厂商们,为了下半年的正常生产,态度出现180度大转弯,开始疯狂采购芯片补充库存。据台媒报道,这其中尤其以采购MOSFET的最积极。
 
 
产能已满,有事排队
和往常一样,大家的目光首先聚焦到英飞凌、ST、安森美等国际IDM大厂身上。早在6月底之前,这些大厂们就已经和大客户们签好下半年的单了,这些厂商的MOSFET产能早已经被预定一空。
 
有台媒表示,这些大厂们第三季的的接单量已超过实际产能的20%~30%。这何止是满了啊,这简直是漫出来了。
 
超出产能的IDM厂的MOSFET交期也再次拉长,其中,低压及高压MOSFET交期普遍拉长到30~40周,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)交期也达到30周。
 
由于第三季的MOSFET订单呈现爆发状态,国际IDM厂下半年都排满了,许多超出的订单开始陆续往台湾的供应商转移。富鼎、大中、杰力、尼克森等企业都过得美滋滋的,第三季度的产能全部卖光,现在都开始接10月之后第四季的订单了。
 
业内人士表示,国际IDM大厂更看重利润高的汽车和工业需求,除了转移了部分产能在这上面,还停产了一批低利润的传统应用上的产品。
 
目光回到最根本的供应问题上,根据市场预估,8英寸硅晶圆市场持续供不应求的状态到2020年都无法改善,虽然有中芯国际、德科码等企业在不断投入,但8英寸硅晶圆供应有限,MOSFET想提高产能有点困难。
 
缺货的背后紧跟着的就是涨价,国际IDM大厂的订单早就签订,虽然台湾的厂商们第三季产能订单已经涨价5~10%,但产能仍然巨缺,价格还要继续往上涨。
 
结合之前的模组厂已开始囤货限供,NAND真涨价了!大家准备好了吗?

SiC领域老司机Rohm
在这些行业的领先者中,日本的Rohm已聚焦在SiC上了大约20年了。他们最初的SiC MOSFET开发始于2002年,初始样品于2005年出货。随后2007年试制了300A MOSFET,并于2008年发布了沟槽式器件。

2009年,Rohm收购了SiC晶圆供应商SiCrystal。随后在2010年推出首批批量生产的SiC肖特基二极管和MOSFET,2012年批量生产全SiC模块,2017年交付了6英寸SBD。

Rohm开始秀肌肉
如今,Rohm声称拥有业界最大的车规级650V/1200V SiC MOSFET产品系列,但同时也致力于为越来越多更严苛的应用领域提供更高电压的器件。

Rohm强调行业向更高功率密度发展的趋势导致更高的系统电压。鉴于此,Rohm最近开发了一种1700V,250A额定SiC功率模块,目前正在某客户项目中使用。该模块的高压目前超过了电动车的要求,但在室外发电系统和工业高压电源的应用中发挥了重要作用。

至关重要的是,最新系统有望提供与1200V器件相同的节能和可靠性,这意味着1700V SiC模块已准备好替代1700V Si IGBT模块了。

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我们都知道SiC的最大挑战是在高压环境下的可靠性,但Rohm声称已在高压、85ºC高温和高湿度下对他们的设备进行了1000小时以上的测试,没有看到任何性能下降。Rohm表示,该模块包括SiC MOSFET和SBD,相比同类SiC产品,芯片面积大大减小,导通电阻降低10%。

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虽然这会减少能源消耗和散热,但不会降低前期成本。但Rohm说正在努力降低与IGBT相比的价差,虽然还没有提供确切的数字。但总体来讲SiC模块的几乎没可能降至IGBT模块的成本水平,但如果考虑到系统成本,使用SiC的好处已经被许多Tier 1和主机厂证实了。

多年经验+产能扩张
因此,随着对SiC功率器件的需求不断增加,Rohm能满足市场需求吗?虽然他们正在纽伦堡工厂进行产能扩张,但在2018年6月,该公司计划在日本筑后的Apollo工厂大规模扩大SiC生产能力。建设工作现已开始,将持续到2020年底。

与此同时,从4英寸晶圆转移到6英寸晶圆也正在进行中,从而提高了生产效率。Rohm已在平面MOSFET开始了这项工作,今年将尝试在沟槽式MOSFET实现这一转变。而且,Rohm预计他们的6英寸晶圆的质量优于4英寸晶圆,这都得益于他们近20年的SiC经验,他们的生产工艺在逐年改善。

在如今的市场中,除了Wolfspeed之外,Rohm是唯一拥有的垂直整合业务的公司。因此,他们也野心勃勃地打算在2025年之前占据30%的市场份额。

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除了更大的市场份额外,Rohm还计划向更高电压应用领域进军。目前他们专注于1200V和1700V区域,因为这个领域有大量适用SiC的应用潜力。但他们已经开始了在3.3/6.5kV(器件)的研发…… 虽然还没有明确的时间来推出这些产品,但他们表示也看到了非常大的潜力。

 

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