解析如何清除IGBT寄生米勒效应电容问题

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米勒效应所产生的电容和峰值问题在日常工作中,属于一种比较常见的情况。在IGBT模块操作中,如果没有及时处理米勒电容问题,很容造成IGBT损坏。那么,寄生米勒电容有哪些危害?工程师应该如何快速的清除IGBT寄生米勒电容问题呢?就让我们通过下文进行详细的分析和介绍。
 
在日常的工作过程中,IGBT模块操作时一旦出现了米勒效应的寄生电容问题,往往见于明显的在0到15V类型的门极驱动器,也就是工程师们常说的单电源驱动器。门集-电极之间的耦合在IGBT关断期间,高dV/dt瞬态可诱导寄生IGBT道通,也就是门集电压尖峰,这对于IGBT乃至整机来说,都是一种潜在的危险。
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通常情况下,为了防止出现寄生IGBT通道的情况发生,国内通常有两种解决办法。第一个办法是为配置添加门极和发射极之间的电容,第二是通过使用负门极驱动。如果使用第一方案,那么很容易造成效率的降低,而第二个方案则需要考虑到额外费用和成本问题,工程师需要依据实际情况进行比较和判断。
 
目前业内所采用通过缩短门极—发射极的路径,用一个晶体管放在门极—发射极之间是一种比较常用的方法。这种方法在达到一定的阈值之后,晶体管将造成门极—发射极地区的短路。我们将这种加入额外晶体管的技术称之为源米勒钳位,这种办法是能够有效消除米勒效应产生的寄生电容问题。
 
结语
 
工程师在了解了米勒效应寄生电容所产生的根本原因之后,可以因地制宜的进行解决方案的选择。及时消除米勒电容问题可以充分保证IGBT的正常工作运转,也能够有效的提升机体工作时长和工作效率。
 
 
 
 
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