ROHM开始量产超高性能的650V耐压GaN HEMT

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本文转自罗姆官网

引言

随着科技的不断发展,在当下,电源和电机的用电量占全世界用电量的比例已超过一半,为了实现无碳的绿色社会,如何提高它们的效率已经成为了一个全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键,SiC(Silicon Carbide:碳化硅)和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。2022年,ROHM将栅极耐压高达8V的150V耐压GaN HEMT投入量产;2023年3月,又确立了能够更大程度地发挥出GaN性能的控制IC技术。

产品特点

新产品是ROHM与Delta Electronics, Inc.(以下简称“台达电子”)的子公司——专注于GaN元器件开发的Ancora Semiconductors Inc.(以下简称“碇基半导体”)联合开发而成的,在650V GaN HEMT的器件性能指数(RDS(ON)×Ciss / RDS(ON)×Coss*2方面,达到了业界超高水平。因此,新产品可以大大降低开关损耗,从而能够进一步提高电源系统的效率。另外,新产品还内置ESD*3保护器件,将抗静电能力提高至3.5kV,这将有助于提高应用产品的可靠性。不仅如此,新产品还具有GaN HEMT器件的优势——高速开关工作,从而有助于外围元器件的小型化。

购买途径

新产品已于2023年4月起投入量产(样品价格 5,000日元/个,不含税),并已开始网售,通过Ameya360Sekorm等电商平台均可购买。

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总结

ROHM将不断致力于进一步提高器件的性能,同时,除了元器件的开发,ROHM还积极与业内相关企业建立战略合作伙伴关系并推动联合开发,通过助力应用产品的效率提升和小型化,持续为解决社会问题贡献更多的力量。

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