技术贴
更新时间 2018-11-26
基于SiC的平面型MOSFET。（SiC-SBD非一体型） 其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。
| 类型 | 文档标题 | 格式 | 版本 | 文件大小 | 下载次数 |
|---|---|---|---|---|---|
| 英文文档 | sct2160ke-e | 1.0 | 775.31KB | 399 |
