栅极-源极电压的浪涌抑制方法

更新时间 2020-06-11

在各类电源电路和大功率供电电路中,经常使用MOSFET 和IGBT 等功率元器件来作为开关器件。近年来得到加速应用的SiC MOSFET的动作速度很快,以至于不可忽视器件本身的封装电感和外围电路的布线电感出于电压电流变化而对开关动作所产生的影响。特别是当器件自身的电压和电流发生变化时,器件的栅极与源极之间的电压有时会产生预期之外的正向或者负向浪涌,针对该现象已经有各种各样的应对策略研究。本应用手册的目的,是在于阐明 MOSFET 的栅极和源极之间浪涌产生的原因,并提出最适合的应对方法。

类型 文档标题 格式 版本 文件大小 下载次数
中文文档 栅极-源极电压的浪涌抑制方法 pdf 1.27MB 117