SiC MOSFET：SCT2080KE

更新时间 2018-10-17

标签：SiC MOSFET 高耐压低导通电阻高速开关

基于SiC的平面型MOSFET。（SiC-SBD非一体型）其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。

类型	文档标题	格式	版本	文件大小	下载次数
英文文档	sct2080ke-e	pdf	1.0	815.38KB	497

技术贴

【R课堂】传统的MOSFET驱动方法

【R课堂】测量SiC MOSFET栅-源电压时的注意事项：一般测量...

【R课堂】所谓SiC-SBD－特征以及与Si二极管的比较

【电子小百科】什么叫SiC功率器件？——SiC半导体

【R课堂】所谓SiC-MOSFET——特征

【R课堂】SiC MOSFET：桥式结构中栅极-源极间电压的动作

【电子小百科】什么叫SiC功率器件？——SiC功率模块

【限时报名】罗姆12月微信研讨会——Pch功率MOSFET系列产品...

SiC MOSFET：通过波形的线性近似分割来计算损耗

ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管