Mosfet：RD3G03BATTL1

更新时间 2023-03-10

标签：罗姆罗姆半导体 ROHM Mosfet

RD3G03BAT是适用于开关应用低导通电阻的功率MOSFET。

类型	文档标题	ECAD模型	格式	版本	文件大小	下载次数
英文文档	RD3G03BATTL1		pdf		2.57MB	131

技术贴

【R课堂】SiC MOSFET的桥式结构

【ROHM官方FAQ分享】二极管①

【R课堂】SiC-MOSFET体二极管的反向恢复特性

【R课堂】SiC-MOSFET体二极管的正向特性

【ROHM官方FAQ分享】DC-DC转换器IC篇②

ROHM推出支持10Gbps以上高速I/F的ESD保护二极管

【限时报名】罗姆4月微信研讨会——Nch低压 MOSFET产品介绍

【ROHM官方FAQ分享】电压检测器（复位IC）①

【R课堂】所谓MOSFET－开关特性及其温度特性

【电子小百科】什么叫SiC功率器件？——SiC-MOSFET（二）