SiC：S2301

更新时间 2025-06-25

标签：罗姆罗姆半导体 ROHM SiC

S2301是基于SiC的平面型MOSFET。其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。

类型	文档标题	格式	版本	文件大小	下载次数
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