GaN：BM3G115MUV-LBE2

更新时间 2026-01-04

该产品在工业设备市场中表现优异。这是用于这些应用的最佳产品。BM3G115MUV-LB为所有需要高功率密度和高效率的电子系统提供了最佳解决方案。通过将650伏增强GaN HEMT和硅驱动器集成到ROHM原始封装中，PCB和线键合引起的寄生电感相比传统分立方案显著降低。因此，可以实现高达150 V/ns的高切换斜率。另一方面，可调节栅极驱动强度有助于降低电磁干扰，且多种保护和其他附加功能提供了优化成本和PCB尺寸。该集成电路设计用于适配现有的主要控制器，因此也可以替代传统的分立电源开关，如超结MOSFET。

类型	文档标题	ECAD模型	格式	版本	文件大小	下载次数
英文文档	bm3g115muv-lb-e		pdf		1.06MB	111