SiC:SCT2H12NWBTL1

更新时间 2026-02-01

SCT2H12NWB是一种硅碳化硅(SiC)平面MOSFET。(SiC-SBD未共包)特点包括高电压电阻、低导通电阻和快速切换速度。

类型 文档标题 ECAD模型 格式 版本 文件大小 下载次数
英文文档 sct2h12nwb-e pdf 1.19MB 85