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SiC:SCT4036DRC15
更新时间
2026-03-28
标签:
罗姆
罗姆半导体
ROHM
SiC
SCT4036DR是SiC(碳化硅)沟槽型MOSFET。其特点包括耐高压、导通电阻低和开关速度快。
类型
文档标题
ECAD模型
格式
版本
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英文文档
sct4036dr-e
pdf
1.36MB
199
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