技术贴
更新时间 2026-03-30
SCT4065DR是碳化硅(SiC)沟槽型MOSFET。它具有耐高压、低导通电阻和开关速度快等特点。
| 类型 | 文档标题 | ECAD模型 | 格式 | 版本 | 文件大小 | 下载次数 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 英文文档 | sct4065dr-e |
|
1.36MB | 106 |