SiC:SCT4065DR

更新时间 2026-03-30

SCT4065DR是碳化硅(SiC)沟槽型MOSFET。它具有耐高压、低导通电阻和开关速度快等特点。

类型 文档标题 ECAD模型 格式 版本 文件大小 下载次数
英文文档 sct4065dr-e pdf 1.36MB 106