更新时间 2026-05-19
该产品是工业设备市场中的高端产品。该产品是此类应用的优选产品。BM3GF01MUV-LBZ、BM3GF02MUV-LBZ集成了650V GaN HEMT和功率因数校正转换器（PFC），作为开关器件，为所有需要改善功率因数的产品提供更紧凑、更优的系统。PFC IC采用边界传导模式控制，通过零电流检测可以减少开关损耗和噪音。内置GaN HEMT有助于实现小型化和高效率。此外，该IC通过结合ROHM内置GaN HEMT的QR IC，可以外部控制PFC的开/关。在不需要PFC的待机期间停止PFC，有助于降低待机功耗。
| 类型 | 文档标题 | ECAD模型 | 格式 | 版本 | 文件大小 | 下载次数 |
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| 英文文档 | bm3gf0xmuv-lbz-e |
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