更新时间 2026-05-19
本产品是面向工业设备市场的优良产品。这是适用于这些应用的更佳产品。BM3GF01MUV-LBZ、BM3GF02MUV-LBZ集成了650 V GaN HEMT和功率因数校正转换器（Power Factor Correction: PFC），作为开关器件，为所有需要功率因数改善的产品提供紧凑、优良的系统。PFC IC采用边界传导模式控制，通过零电流检测，可以减少开关损耗和噪声。内置GaN HEMT有助于小型化和高效。此外，该IC通过结合ROHM的内置GaN HEMT的QR IC，可以实现PFC ON/OFF的外部控制。它有助于在待机时停止PFC以降低待机功耗，此时无需PFC。
| 类型 | 文档标题 | ECAD模型 | 格式 | 版本 | 文件大小 | 下载次数 |
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| 英文文档 | BM3GF02MUV-LBZE2 |
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