更新时间 2026-08-12
此产品为TSC3PAK封装的SiC MOSFET。TSC3PAK采用顶置散热结构，散热面位于封装顶部，其散热性能可媲美传统通孔封装，同时保持了表面贴装设计。另外，ROHM专有的沟槽结构确保了6.66mm的爬电距离，能够在2级污染环境下支持1200V的交流峰值电压。这有助于在高压应用中实现安全的绝缘设计和更高的可靠性。此外，该产品还实现了低导通电阻和高速开关，有助于提高功率转换电路的效率，并降低功耗。它非常适合xEV中的车载充电器和电动压缩机，以及光伏逆变器和服务器电源。
| 类型 | 文档标题 | ECAD模型 | 格式 | 版本 | 文件大小 | 下载次数 |
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| 英文文档 | sct4026dtwhr-e |
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