更新时间 2026-08-14
该产品是采用TSC3PAK封装的SiC MOSFET。TSC3PAK封装的散热面位于封装顶部，具有顶部散热结构，实现了与传统通孔封装相当的散热性能，同时保持了表面贴装设计。此外，ROHM专有的沟槽结构确保了6.66mm的爬电距离，支持2级污染环境中的1200V交流峰值电压。这有助于高压应用中的安全绝缘设计和更高可靠性。此外，该产品实现了低导通电阻和高速开关，有助于提高功率转换电路的效率和降低功耗。它是xEV中的车载充电器和电动压缩机以及光伏逆变器和服务器电源的理想选择。
| 类型 | 文档标题 | ECAD模型 | 格式 | 版本 | 文件大小 | 下载次数 |
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| 英文文档 | sct4045dtw-e |
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