更新时间 2026-08-14
本产品为采用 TSC3PAK 封装的 SiC MOSFET。TSC3PAK 采用顶部散热结构，散热面位于封装顶部，在保持表面贴装设计的同时，实现了与传统通孔封装相当的散热性能。此外，ROHM 专有的沟槽结构确保了 6.66mm 的爬电距离，能够在污染等级 2 的环境下支持 1200V 的交流峰值电压。这有助于高压应用的绝缘设计和更高可靠性。此外，本产品实现了低导通电阻和高速开关，有助于提高功率转换电路的效率和降低功耗。本产品非常适用于 xEVs 中的车载充电器和电动压缩机，以及光伏逆变器和服务器电源。
| 类型 | 文档标题 | ECAD模型 | 格式 | 版本 | 文件大小 | 下载次数 |
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| 英文文档 | sct4062ktw-e |
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