更新时间 2026-08-14
该产品是采用TSC3PAK封装的SiC MOSFET。TSC3PAK采用顶面散热结构，散热面位于封装顶部，在保持表面贴装设计的同时，实现了与传统通孔封装相当的散热性能。此外，ROHM专有的沟槽结构确保了6.66mm的爬电距离，使得该产品支持2级污染环境下的1200V交流峰值电压。这有助于高压应用中实现安全的绝缘设计和更高可靠性。此外，该产品具有低导通电阻和高速开关特性，有助于提高功率转换电路的效率和降低功耗。它是xEV的车载充电器和电动压缩机、光伏逆变器和服务器电源的理想选择。
| 类型 | 文档标题 | ECAD模型 | 格式 | 版本 | 文件大小 | 下载次数 |
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| 英文文档 | sct4065dtw-e |
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