| 标题 | ECAD模型 | 中文文档 | 英文文档 | 附件 | 更新时间 |
|---|---|---|---|---|---|
| （使用说明书）SiC MOSFET评估板：P02SCT3040KR-EVK-001 |
|
无 | 无 | 2023-05-11 | |
| （产品规格书）SiC MOSFET评估板：P02SCT3040KR-EVK-001 |
|
无 | 无 | 2023-05-11 | |
| 碳化硅：SCT3080KW7 |
|
无 | 无 | 2021-05-18 | |
| 碳化硅：SCT3060AW7 |
|
无 | 无 | 2021-05-18 | |
| 碳化硅：SCT2450KEHR |
|
无 | 无 | 2021-05-18 | |
| 碳化硅：SCT2280KEHR |
|
无 | 无 | 2021-05-18 | |
| 碳化硅：SCT3105KW7 |
|
无 | 无 | 2021-05-18 | |
| 碳化硅：SCT3120AW7 |
|
无 | 无 | 2021-05-18 | |
| 碳化硅：SCT3160KW7 |
|
无 | 无 | 2021-05-18 | |
| TO-247-4L 半桥评估板 使用说明书 |
|
无 | 无 | 2020-06-11 | |
| TO-247-4L 半桥评估板 产品规格书 |
|
无 | 无 | 2020-06-11 | |
| 栅极-源极电压的浪涌抑制方法 |
|
无 | 无 | 2020-06-11 | |
| 桥式电路相关的Gate-Source 电圧的动作 |
|
无 | 无 | 2020-06-11 | |
| 用户指南：BSMGD2G12D24-EVK001评估板 |
|
无 | 无 | 2020-06-11 | |
| 缓冲电路的设计方法 |
|
无 | 无 | 2020-06-11 | |
| 通过驱动源极端子改善开关损耗 |
|
无 | 无 | 2020-06-11 | |
| 利用驱动源改善开关损耗 |
|
无 | 无 | 2020-06-10 | |
| 栅源电压测定时的注意点 |
|
无 | 无 | 2020-06-09 | |
| 热仿真用双热阻模型 |
|
无 | 无 | 2020-06-08 | |
| SiC碳化硅:SCT3080AR (新产品) |
|
无 | 无 | 2020-05-26 |
