【R课堂】桥式结构中的栅极-源极间电压的行为：导通时

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在功率开关器件最常见的应用中，包括与上一篇文章中提到的双脉冲测试电路相同的桥式结构。对于桥式结构情况下的栅-源电压的行为，在Tech Web基础知识SiC功率元器件的“SiC MOSFET：桥式结构中栅极-源极间电压的动作”和这篇文章所依据的应用指南“桥式结构中栅极-源极电压的行为”中，介绍了相互影响的动作情况。

但是，具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，栅-源电压的行为不同，要想正确实施栅-源电压的浪涌对策，需要了解电压的行为。

从本文开始，将针对具有驱动器源极引脚的TO-247-4L封装SiC MOSFET在桥式结构情况下的栅-源电压的行为，分LS侧（低边）MOSFET导通时和关断时两种情况用2个篇幅分别进行介绍。

桥式结构中的栅极-源极间电压的行为：导通时

下面将围绕与没有驱动器源极引脚的TO-247N封装MOSFET之间的不同点，对桥式结构中LS侧（低边）的MOSFET导通时的动作进行说明。

下图为导通时的各开关波形，左侧为不带驱动器源极引脚的TO-247N封装产品，右侧为带驱动器源极引脚的TO-247-4L封装产品。各横轴表示时间，时间范围Tk（k＝7、8、1-3）的定义在波形图下方有述。右下方的电路图中给出了TO-247-4L封装产品在桥式电路中的栅极引脚电流情况。在波形图和电路图中，用（I）～（III）来表示每个时间范围中发生的事件。事件（III）在T2期间结束后立即发生。

TO-247N封装产品，没有驱动器源极引脚

TO-247-4L封装产品，有驱动器源极引脚

在桥式结构中LS侧SiC MOSFET导通时的各开关波形

＜时间范围Tk的定义＞

• T7：HS为导通期间（同步整流期间）
• T8：HS关断、LS导通之前的死区时间
• T1：LS导通、MOSFET电流变化期间【事件（I）同时发生】
• T2：LS导通、MOSFET电压变化期间【事件（II）同时发生】
• T3：LS导通期间
  

TO-247-4L：LS导通时的栅极引脚电流

在波形图比较中，TO-247-4L的事件（I）与TO-247N的事件（I）明显不同，在非开关侧（HS）的VGS观察到正浪涌（TO-247N为负浪涌）。这是由栅极引脚电流图中（I）的电流ICGD引起的（HS侧，绿线）。该电流会流过栅-漏电容CGD。

有奖问答：电流会流过栅-漏电容CGD。之所以会流过该电流，是因为__________。

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