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看2018|回2|收藏
luck_gfb 看全部
2018-8-9 09:23:05
SIC MOS生产时开机坏GS击穿是什么原因?生产使用的是ROHM的SIC MOS  SCT2160二个,半桥LLC应用,生产初测试有出现GS击穿的现象,DS测试正常(万用表二极管测试),请大师帮忙分析一下是什么原因?是不是GS驱动电压设置太高引起。
luck_gfb 看全部
2018-8-9 15:27:19
自己顶一个
yinwuqing 看全部
2018-8-9 20:13:47
追问?

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