点缺陷指晶体中几个原子尺寸范围内的缺陷，包括了：
没有原子(图1)：空位(Vacancy)，碳化硅中有碳空位VC、硅空位VSi；
多了原子(图2)：填隙(Interstitital)，碳化硅中有碳填隙IC、硅填隙ISi、杂质填隙IX；
换了原子(图3/4)：错位，碳化硅中有碳错位CSi、硅错位SiC、杂质错位CX/SiX。
多了电子：电子；
少了电子：空穴。
注：大符号表示位置实际情况，小符号表示位置原来情况。SiC表示原来是一个碳，现在被一个硅原子替换了。
电子和空穴不用说了，半导体性质的基础就是基于这两种缺陷——也就是载流子。但这两种缺陷一般也是因为前三种而产生的，比如说N掺杂的碳化硅——N型碳化硅，就是通过N错位来增加电子数目，增加碳化硅的导电能力。所以一般点缺陷也特指前三种。
但是，实际上常常以点缺陷的某种性质来发表文章。比如，色心。色心是一种点缺陷，该缺陷能级与主体晶体不同，而使得晶体带有颜色。本来，色心是指两种及以上简单点缺陷复合形成的更大的点缺陷，现在都泛化了。直接电离辐照，可能得到多种色心，但是真实情况还是得看具体条件下的具体材料。
碳化硅晶体现在可以产生的色心如下所示：
可以看到，最典型的Si空位+电子的组合缺陷，带有自旋为3/2。简单的离子的自旋是可以通过电子轨道就得到，比如说Cr3+为3d3，自旋为3/2。色心的自旋没法简单的用分子轨道计算，因为会涉及周围环境的对称性。Si空位缺陷，周围是四个C原子提供四个电子的悬挂键。没有电子注入情况下，对称性为D2d（镜面），而非Td（四面体），自旋=0；注入一个电子，自旋=3/2。
常见的色心引入方法：
真空/在气氛下加热，使得晶体中原子形成气体，得到空位；
在气氛下加热，使得气体进入晶体，得到填隙、错位；
合成过程中加入杂质，得到填隙、错位；
高能射线辐照/注入（紫外线、X射线、γ射线、中子、电子、离子），使得晶体中原子形成气体，得到空位；
高能射线辐照/注入（中子、电子、离子），使得粒子进入晶体，得到填隙、错位。
引入这些色心，其实就是引入能级。能级的作用在半导体内已经有详细的阐述，可控发光、可控导电等等。色心想要实现的应用也是如此。
比如说：
不同磁场下，色心能级变化，测定完标准数据后，可以用于磁探测。
不同温度下，色心能级变化，测定完标准数据后，可以用于温度探测。
光激发，色心自旋变化，测定完标准数据后，可以用于做开关，也就是量子计算。
色心能级的变化，反应为吸收电子后，辐射的光位置不同，也就是光致发光（photoluminescence，PL，荧光）。磁场作用下的光致发光，光探测磁共振（optically detected magnetic resonance，ODMR）。
但是，色心常常在室温下不稳定，或者信号弱，表现为声子展宽。温度低，声子作用减弱，得到的光致发光谱线叫做零声子线（zero-phonon lines，ZPL）。
举个例子。
电子（计量为10^18cm2、2MeV）注入21R-SiC（氮浓度5×10^16cm-3）中可以产生Si空位色心。
532nm光激发，得到的1-4是零声子线，高温的是由于声子带来的展宽。
不同磁场不同温度变化如下：
参考文献
High-Temperature Spin Manipulation on Color Centers in Rhombic Silicon Carbide Polytype 21R-SiC
晶体点缺陷基础
http://www.cas.cn/syky/202006/t20200604_4748875.shtml?from=timeline&isappinstalled=0
SiC中空位缺陷的自旋态与自旋调控的理论研究_潘凤春
