ROHM即将推出的目前正在开发中的GaN器件具有以下特点：


1. 采用ROHM自有结构，将栅极-源极间额定电压提高至8V
普通的耐压200V以下的GaN器件的栅极驱动电压为5V，而其栅极-源极间额定电压为6V，其电压裕度非常小，只有1V。一旦超过器件的额定电压，就可能会发生劣化和损坏等 可靠性方面的问题，这就需要对栅极驱动电压进行高精度的控制，因此，这已成为阻碍GaN器件普及的重大瓶颈问题。


针对这种课题，ROHM通过采用自有的结构，成功地将栅极-源极间的额定电压从常规的6V提高到了业内超高的8V。这使器件工作时的电压裕度达到普通产品的三倍，在开关工 作过程中即使产生了超过6V的过冲电压，器件也不会劣化，从而有助于提高电源电路的可靠性。


2. 采用在电路板上易于安装且具有出色散热性的封装
该GaN器件所采用的封装形式，具有出色的散热性能且通用性非常好，在可靠性和可安装性方面已拥有可靠的实际应用记录，因此，将使现有硅器件的替换工作和安装工序中 的操作更加容易。此外，通过采用铜片键合封装技术，使寄生电感值相比以往封装降低了55％，从而在设计可能会高频工作的电路时，可以更大程度地发挥出器件的性能。


3. 与硅器件相比，开关损耗降低了65％
该GaN器件不仅提高了栅极-源极间额定电压并采用了低电感封装，还能够更大程度地发挥出器件的性能，与硅器件相比，开关损耗可降低约65％。