【罗姆650V EcoGaN™ Power Stage IC评估板试用】-开箱篇

icehippo

前言

首先感谢与非网罗姆社区给的这次试用的机会，让我能体验一下最新650V EcoGaN™ Power Stage IC评估板。首先介绍一下收到的板子，我一共收到3块板子，分别是：①、BM3G007MUV-EVK-002（PFC 240W）就是那个大块头板子②、BM3G007MUV-EVK-003③、BM3G015MUV-EVK-003。

其次，我来科普一下什么是GaN HEMT？氮化镓高电子迁移率晶体管，作为宽禁带(WBG)功率半导体器件的代表，器件在高频功率应用方面有巨大的潜力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的电子迁移率、饱和电子速度和击穿电场。可以实现更小的导通电阻和栅极电荷(意味着更优秀的传导和开关性能)。因此GaN功率器件更适合于高频应用场合，对提升变换器的效率和功率密度非常有利。目前GaN功率器件主要应用于电源适配器、车载充电、数据中心等领域，也逐渐成为5G基站电源的最佳解决方案。

然后，让我们熟悉一下BM3G007MUV-EVK-002这块参考板吧，BM3G007MUV-EVK-002参考板从90VAC到264VAC输入,来输出400V电压。其输出的电流电源高达0.6A。看起来电流不大，但是400V的电压，一起输出的功率可是不小的。内置GaN HEMT (650V 70mΩ)、 驱动器和保护装置电路，有保护才能更安全。氮化镓功率级可实现最大97.8%的效率，这效率没的说。


再然后，BM3G007MUV-EVK-003参考板，由BM3G015MUV（GaN FET（650V 70mΩ）、集成驱动器和保护电路）和一块安装外设组件的电路板组成。该IC设计用于适应现有的主要控制器，因此也可以用来取代超级结MOSFET等传统的分立功率开关。BM3G015MUV-EVK-003参考板也是类似，由BM3G015MUV（GaN FET（650V 150mΩ）、集成驱动器和保护电路）和一块安装外设组件的电路板组成。此款集成电路设计用于适应现有的主要控制器，因此也可以用来取代超级结MOSFET等传统的分立功率开关。这两兄弟看起来好相似，他们的区别是，BM3G007MUV-LB和BM3G015MUV-LB，导通电阻分别是70毫欧和150毫欧，以适用不同的需求。


用途：面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源，那么什么是一次侧电源？在工业设备和消费电子等设备中，会通过变压器等对电源和输出单元进行隔离，以确保应用产品的安全性。在隔离部位的两侧，电源侧称为“一次侧（初级）”，输出侧称为“二次侧（次级）”，一次侧的电源部位称为“一次侧电源”。2012年，第一颗600V的GaN芯片通过了JEDEC;2018年，650V功率 GaN IC 面市;2019年，650V功率GaN市场被打开。2020年，小米推出65W GaN充电器，进一步拓展了GaN市场。据Trend Force报告显示，全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金，复合增长率高达65%。

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