为了持续给工程师们提供优质又便捷的知识服务, R课堂活动再度重磅开启~本月迎来全新的罗姆R课堂活动主题！！！鼓掌，撒花~上一次R课堂答题活动已经过去很久了，相信大家都很怀念“【1月】R课堂知识擂台赛-罗姆答题你最行“的活动~那么接下来跟随小R一起详细看一看精彩的5月R课堂活动吧！
本月R课堂主角是“SiC MOSFET”板块，话不多说，现在就让小R会带大家一起去R课堂中温故知新一下。
R课堂的“SiC MOSFET”板块中EV的功率转换系统主要围绕OBC（车载充电器）、辅助电源用隔离型DC-DC、升压型DC-DC或牵引逆变器，针对其中的牵引逆变器，接入电机试验台实施了模拟行驶试验，通过试验结果来介绍第4代SiC MOSFET的特性是如何为用户带来效益的以及通过构成OBC的图腾柱PFC，来介绍在实际应用的电路板上使用第4代SiC MOSFET所带来的效率提升效果。这次小R将带大家从以下几个方面展开讲解：
第4代SiC MOSFET的特点
在降压型DC-DC转换器中使用第4代SiC MOSFET的效果
-电路工作原理和损耗分析
-DC-DC转换器实机验证
在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果
-EV应用
-装入牵引逆变器实施模拟行驶试验
看到这里，相信大家一定迫不及待的想要了解它们的更多信息了，那就快去R课堂的“在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果”板块学习一下吧~敲黑板！！！后续的题目都会从里面出哦~
相关文档：
SiC功率元器件基础
想要下载学习更多ROHM学习文档的小伙伴可以进入R课堂页面右侧的下载中心板块进行下载，里面提供针对电源管理IC、功率元器件、电机、EMC的产品分析、性能评估、设计步骤到解决方案的一站式配套资料，有近70份技术资料给大家下载！都是干货！
活动规则：
学习上方基础知识内容并答题，即可参加转盘活动，获得对应奖励~
活动时间：5.20—6.4
活动形式：围绕资料，小R每天出题，每题两次回答机会。用户回帖答题，全部回答正确即可获得30罗姆豆/天（罗姆豆有何用？？先去转盘看一看）及10 ROHM金币/天（ROHM金币有何用？？先去积分商城看一看）。同时活动结束将会从每天坚持回答问题且连续回答正确的小伙伴中随机抽出5人送出精美礼品1份。周末问题不计算在内，但最终会从所有问题回答正确的小伙伴中抽出1人送出彩蛋奖品1份。
中奖的5位小伙伴为eefocus_3853969、eefocus_3878630、xinxi2014、hjf2002、htwdb，中彩蛋奖品的小伙伴为suncat0504，将会分别发放一份精美实物礼品~
转盘奖品展示：
一等奖：65W氮化镓充电器x 1 二等奖：纽曼蓝牙音箱 x 2
三等奖：桌面可夹风扇x2 四等奖：U型枕x 3
五等奖：10积分x 10 六等奖：8罗姆金币(数量不限)
七等奖：6罗姆豆（数量不限）
*实物奖品可换成等值FAFULI积分
每日题目：（每日问题的答案均在上述讲解页面以及文档中）
5.20问题：第4代SiC MOSFET通过进一步改进ROHM自创的双沟槽结构，改善了EV牵引逆变器等应用所需的短路耐受时间，与第3代SiC MOSFET相比，导通电阻降低约_______。
Tips：第4代SiC MOSFET的特点
5.21问题：通过大幅降低栅-漏电容（CGD），成功地使开关损耗比第3代SiC MOSFET降低约_______。
Tips：第4代SiC MOSFET的特点
5.22问题：SBD 仅通过电子移动产生电流，而 PND 则通过_______产生电流。
5.23问题：反向恢复损耗PQrr发生的时间点是在_______，是由低边SiC MOSFET SL的体二极管的_______引起的损耗。
5.24问题：SiC 的介电击穿强度比 Si 高约_______，耐压能力高达 600V～数千 V。
5.25~5.26问题：OBC（车载充电器）采用的是_______技术，双向图腾柱PFC和_______是最近备受关注的电路拓扑。
5.27问题：Si FRD 的温度上升时，_______也随之上升，因此需要相应的反向恢复时间。
5.28问题：随着机电一体化（电机、减速器、逆变器）进程加速，降低损耗在实现_______逆变器中的重要性日益凸显。
5.29问题：三相交流波形按照与电机转速同步的频率信号波（基准正弦波）设置，三角波（调制波）按照_______设置。
5.30问题：针对C级EV的电耗测试结果中，与使用IGBT时相比，第4代SiC MOSFET整体电耗和市区模式下分别改善多少？
5.31问题：与使用IGBT时相比，假设电耗改善5.5%，就意味着1万公里的行驶里程可以节省_______日元，采用100kWh的电池可以节省5.5万日元。
6.1~6.2问题：在轻负载（1kW附近）条件下，_______非常小——这也是第4代SiC MOSFET的特点，所以效率得以显著提高。
6.3问题：DC-DC转换器中的功率器件SH和SL的损耗括_______、_______、_______、反向恢复损耗PQrr和Coss损耗。
6.4问题：通过 SiC MOSFET + SBD 的组合，将 IGBT + FRD 的关断损耗 Eoff降低了_______，IGBT 的尾电流会随着温度的_______。
