为了持续给工程师们提供优质又便捷的知识服务, R课堂活动再度重磅开启~本月迎来全新的罗姆R课堂活动主题！！！鼓掌，撒花~上一次R课堂答题活动已经过去很久了，相信大家都很怀念“【5月】R课堂知识擂台赛-罗姆答题你最行“的活动~那么接下来跟随小R一起详细看一看精彩的5月R课堂活动吧！
本月R课堂主角是车载相关技术文章，话不多说，现在就让小R会带大家一起去R课堂中温故知新一下。
R课堂的“工程师专栏”&“最新文章”板块中为大家呈现了丰富多彩且知识点满满的内容和物料。“工程师专栏”的文章由罗姆的产品开发人员亲自撰写，该部分内容同时具备严谨的科学态度和通俗的解释，与新产品的新闻稿不同，这些都是从工程师的角度出发进行介绍，相信一定会对大家有所帮助！“最新文章”板块的两篇文章则会着眼行业焦点，让大家知道如何使用新一代SiC MOSFET降低损耗实证，这次小R将带大家从以下几个方面展开讲解：第4代SiC MOSFET的特点
在降压型DC-DC转换器中使用第4代SiC MOSFET的效果
-电路工作原理和损耗分析
-DC-DC转换器实机验证
在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果
-EV应用
-装入牵引逆变器实施模拟行驶试验
-图腾柱PFC实机评估
看到这里，相信大家一定迫不及待的想要了解它们的更多信息了，那就快去R课堂里学习一下吧~敲黑板！！！后续的题目都会从里面出哦~
推荐产品：
Ø 2SAR642PHZG（PNP型）PNP, -30V -10A, SOT-89：车载用栅极驱动用晶体管2SAR642PHZG是低VCE(sat)且开关高速的晶体管，适用于栅极驱动电路用途。是符合AEC-Q101标准的车载级高可靠性产品。
Ø 2SCR642PHZG（NPN型）NPN, 30V 10A, SOT-89：车载用栅极驱动用晶体管2SCR642PHZG是低VCE(sat)且开关高速的晶体管，适用于栅极驱动电路用途。是符合AEC-Q101标准的车载级高可靠性产品。
相关文档：
Ø活用Si功率元器件特点的应用案例
ØSiC功率元器件基础
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活动规则：
学习上方基础知识内容并答题，即可参加转盘活动，获得对应奖励~
活动时间：8.1—8.18
活动形式：围绕资料，小R每天出题，每题两次回答机会。用户回帖答题，全部回答正确即可获得30罗姆豆/天（罗姆豆有何用？？先去转盘看一看）及10 ROHM金币/天（ROHM金币有何用？？先去积分商城看一看）。同时活动结束将会从每天坚持回答问题且连续回答正确的小伙伴中随机抽出5人送出精美礼品1份。周末问题不计算在内，但最终会从所有问题回答正确的小伙伴中抽出1人送出彩蛋奖品1份。
中奖的5位小伙伴为eefocus_3754746、graphicalanalys、lxl666、ufoer11、zhangjsh，中彩蛋奖品的小伙伴为pingfanren1969，将会分别发放一份精美实物礼品~
转盘奖品展示：
一等奖：纽曼炫彩蓝牙音箱x 1 二等奖：keep运动臂包 x 2
三等奖：咖啡杯x3 四等奖：手机支架x 3
五等奖：10积分x 10 六等奖：8罗姆金币(数量不限)
七等奖：6罗姆豆（数量不限）
*实物奖品可换成等值FAFULI积分
每日题目：（每日问题的答案均在上述讲解页面以及文档中）
8.1问题：双极晶体管通常有_______、_______、_______三个引脚，被用于电流放大，或用作对电路进行开/关的开关。
Tips：五位工程师谈中等功率器件新产品：第1篇 ROHM开发出xEV逆变器电路栅极驱动用的双极晶体管
8.2问题：ROHM此次开发的产品为_______和_______，新产品保证了高集电极电流（脉冲）Icp，非常适用于_______等的栅极驱动应用。
Tips：五位工程师谈中等功率器件新产品：第1篇 ROHM开发出xEV逆变器电路栅极驱动用的双极晶体管
8.3~8.4问题：超级结MOSFET与平面MOSFET相比，Qg降低_______,两者电阻率为_______？
Tips：活用Si功率元器件特点的应用案例
8.5问题：如果栅极驱动器IC的驱动能力不足以驱动所用的开关器件，可以通过_______来解决。
Tips：五位工程师谈中等功率器件新产品：第1篇 ROHM开发出xEV逆变器电路栅极驱动用的双极晶体管
8.6问题：在以xEV为主的、需求不断增长的逆变电路中，开关器件的电流容量呈_______趋势，这就要求被用作缓冲器的双极晶体管也要具备出色的电流驱动能力。
Tips：五位工程师谈中等功率器件新产品：第1篇 ROHM开发出xEV逆变器电路栅极驱动用的双极晶体管
8.7问题：ROHM此次开发的新产品，保证1ms脉冲条件下的集电极电流（脉冲）ICP为_______。
Tips：五位工程师谈中等功率器件新产品：第1篇 ROHM开发出xEV逆变器电路栅极驱动用的双极晶体管
8.8问题：当使用第4代SiC MOSFET时，在1.5kW半负载时实现了_____以上的高效率，在3kW满负载时实现了_____的高效率。
8.9问题：与第3代SiC MOSFET相比，第4代SiC MOSFET的_______改善尤为明显。
8.12问题：在重负载（5kW附近）条件下，与第3代SiC MOSFET相比，第4代SiC MOSFET的损耗降低达____以上。
8.13问题：高边SiC MOSFET的______和________大幅降低，为改善整体损耗发挥了重要作用。
8.14问题：EV的功率转换系统是由OBC（车载充电器）、________、_______和_______组成的。
8.15问题：在BEV电源架构中，电力从该__________供应给辅助电源用DC-DC转换器、电池、逆变器升压用和主驱牵引逆变器。
8.16问题：在逆变电路的工作中，为了驱动动力总成系统中的电机，牵引逆变器会将电池中存储的直流电转换为________。
8.17~8.18问题：全 SiC 功率模块 BSM300D12P2E001 与同等功能 IGBT 模块的比较来看，BSM300D12P2E001 的开关损耗总共可以降低______？
