EcoGaN™ Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”
GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。在本次PCIM Asia展会上，罗姆会通过多个评估套件展示EcoGaN™系列150V和650V级的GaN HEMT。Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（包含内置650V GaN HEMT和栅极驱动器）能够实现集成度更高、体积更小的PFC和QR（准谐振）反激转换器。这些器件能为各种需要高功率密度和效率的电子系统提供更佳解决方案。罗姆还将展示多种EcoGaN™系列产品的相关电路板及其在工业解决方案中的贡献。
