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管理-小R 看全部
2024-9-11 11:49:39
什么叫SiC功率器件?
SiC-MOSFET
1. 器件结构和特征
Si材料中越是高耐压器件,单位面积的导通电阻也越大(以耐压值的约2~2.5次方的比例增加),因此600V以上的电压中主要采用IGBT(绝缘栅极双极型晶体管)。
IGBT通过电导率调制,向漂移层内注入作为少数载流子的空穴,因此导通电阻比MOSFET还要小,但是同时由于少数载流子的积聚,在Turn-off时会产生尾电流,从而造成极大的开关损耗。
SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低,不需要进行电导率调制就能够以MOSFET实现高耐压和低阻抗。
而且MOSFET原理上不产生尾电流,所以用SiC-MOSFET替代IGBT时,能够明显地减少开关损耗,并且实现散热部件的小型化。
SiC-MOSFET.png



【有奖问答】SiC的绝缘击穿场强是Si的___倍,所以能够以低阻抗、薄厚度的漂移层实现高耐压。
Tips:点击阅读全文,获得答案
请规范答题,连续答错无法获得奖励哦~


eefocus_3924226 看全部
2024-9-11 13:17:25
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linghz 看全部
2024-9-11 13:47:51
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lxl666 看全部
2024-9-11 13:47:58
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sumoon_yao 看全部
2024-9-11 13:55:47
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