小伙伴们报名后可点击链接填写详细报名信息并参与转盘~
【十一月惊喜揭幕】罗姆评估板试用活动再度来袭！这次，小R为大家争取到的是实现了业内超低导通电阻、具有低开关损耗、有助于设备进一步节能的第4代SiC MOSFET半桥评估板！一共两种型号，各3块！！！参考单价分别为RMB3400+和RMB2700+!!! 铁汁们冲呀！！机不可失，快快行动起来，选出你心仪的评估板型号吧~ 申请通道已开启，速来抢占席位，与前沿科技共舞！好了，老规矩，先跟着小R详细了解一下本次活动的主角吧~
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评估板型号：
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＜评估板详情＞：
小伙伴们需要注意的是，两款板子区别在于：
P04SCT4018KE-EVK-001是用来评估SCT4018KE(3引脚)的，
P05SCT4018KR-EVK-001是用来评估SCT4018KR(4引脚)的。
l 能够评估 TO-247-4L、TO-247N
l 支持单一电源（+12V）工作
l 最大 250A 的双脉冲试验
l 最大500kHz的开关动作
l 支持各种电源拓扑（Buck、Boost、Half-Bridge）
l 内置可调的栅极驱动用绝缘电源（正负）（+12V~+23V，-4.5V~-2V）
l 有源箱位电路（驱动IC内置型）
l 栅极浪涌箝位
罗姆的第4代SiC MOSFET，在改善短路耐受时间的前提下实现了业内超低导通电阻。另外，还具有低开关损耗和支持15V栅-源电压等特点，有助于设备进一步节能。
SiC技术应用：
应用优势：
通过使用罗姆的第4代SiC MOSFET，与传统产品相比，导通电阻可降低约40%，开关损耗可降低约50%。有助于提高电动汽车、数据中心、基站和智能电网等高电压和大容量发展的应用的便利性和电力转换效率，本应用笔记介绍了产生以上优点的机制。
本页面包括采用罗姆元器件的应用案例以及与客户的合作项目。
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＜其他参考资料＞：
与传统的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的高温、高频和高压性能，已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件。此外，SiC让设计人员能够减少元件的使用，从而进一步降低了设计的复杂程度。
二、活动规则
l活动概要：
以上两款评估板试用数量各3块。每块板子配套2个相应型号的SiC MOSFET器件用来测试。本次我们将挑选申请用户免费试用，申请时请备注申请理由和申请型号（本次试用面向对象为电子工程师 、科研机构研发人员，电子爱好者，本次活动暂不对学生开放）
l活动流程：
填写申请→审核/公布名单→发表评测→评审发奖
Step1：填写申请（2024.11.05 -2024.12.03）
申请者点击“我要参加”，填写申请信息并说明申请理由和申请型号。理由包含计划使用开发板做的项目或分享的心得等，尽可能详细，越详细越有机会申请成功！
Step2：审核/公布名单（2024.12.04 -2024.12.08）
我们将根据试用申请理由筛选申请者获得板卡试用机会并在论坛公布试用者名单。通过审核后的申请者，小R将会和你单线联系，获取收货地址，将开发板邮寄到你的手上。
Step3：发表评测（2024.12.09 -2025.01.17）
试用者收到板卡后，按申请时填写的试用计划进行试用，并在板卡试用区板块发帖记录试用过程、分享试用心得。
格式：
题目：【罗姆第4代SiC MOSFET半桥评估板试用】+自拟标题，内容包含：开箱展示、项目制作记录、成果展示、评估板试用感受与建议。（图文+视频，不少于500字，图片不少于5张）
内容可以包括：
（1）晒板卡照片、开箱图、或者点评
（2）产品性能评测
（3）连载的入门教程，得意的经验分享
（4）分享使用开发板完成的一个应用或项目
试用结束后，需将板卡归还到罗姆社区。我们会根据试用者在论坛分享的帖子质量（结合用户申请板卡时的试用计划）综合评估考量，优秀者予以奖励。但是对于不按照规则完成试用或者最后未能形成试用心得的用户，申请者需要按照要求及时退回板卡，否则将无法参加以后罗姆社区的相关板卡试用活动。
三、活动奖励：
*转盘奖励（每个填写申请的申请者可获得幸运大转盘的机会一次，中奖率极高！）
*试用奖励：
四、注意事项：
1.试用者所分享所有内容须为原创首发，且罗姆对用户所发内容保有使用权，后续可能会发布在罗姆其他相关平台。
2.如因突发情况，预估无法继续完成学习和心得分享，或收到开发板的7天内没有更新内容，请主动退还评估板（运费自理），让其他网友继续使用。
3.首次邮寄由罗姆社区免费邮寄，活动过程中若产生快递费用由试用者自付。
4.活动过程中，板卡拥有权归罗姆社区，参与者只拥有板卡使用权；评估板属于精密电子产品，请使用者能够爱惜，避免一些不必要的损害。如果在使用过程中出现恶意损坏板卡的行为，使用者须照价进行赔偿。
5.本活动最终解释权归罗姆社区所有。
