什么是氮化镓?什么是氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMTs)?
氮化镓(GaN)是一种采用镓和氮化合物的化合物半导体;它被认为是下一代功率器件极具潜力的材料。
氮化镓技术因其高效率和对功率电子、光子学、LED技术、射频基础设施和功率集成电路等各种应用的变革性影响而闻名。氮化镓半导体在诸如5G和6G电信、电动汽车和节能照明解决方案等各种技术应用中起着至关重要的作用。需要注意的是,碳化硅(SiC)同样是一种基于硅和碳的化合物半导体。碳化硅可用作生长氮化镓外延层的衬底,尤其适用于射频和功率器件方面的应用。由于其优异的热导率和在氮化镓应用中的稳定性,碳化硅在开发高性能半导体器件(包括LED和功率电子器件)方面至关重要。可以对硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的主要物理特性进行比较。由于氮化镓具有比硅更宽的禁带宽度和更高的热导率,因此被称为宽禁带半导体。宽禁带半导体具有高介电击穿电场强度的特点,可以使用更薄的层实现与硅相同的耐压。高电子迁移率晶体管(HEMT)是“High Electron Mobility Transistor”的缩写,它指的是一种场效应晶体管,其中在半导体异质结处诱导产生的高迁移率二维电子气充当沟道。一般来说,HEMTs是在化合物半导体中制造的,除了氮化镓,它们也会使用砷化镓(GaAs)等其他材料。
小R给大家整理了氮化镓的基本知识以及罗姆氮化镓(GaN)功率解决方案的介绍,主要分为以下几个方面:
1. GaN功率器件的介绍
2. 晶体管功率器件的应用范围
3. 罗姆现有氮化镓产品系列(EcoGaN™)
4. 罗姆即将推出的氮化镓产品(Eco GaN™)
5. 助力应用性能提升的氮化镓参考设计
6. 使用氮化镓的应用示例——罗姆的氮化镓功率解决方案推动多样化应用
7. 相关资料
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