DC/DC转换器IC外围器件的选用方法

boxisu

负载电容 (CL)

1

使用对应于等效串联电阻(ESR)低的陶瓷电容为负载电容时，需对其温度特性特别注意。 除B特性产品以外，由于周围温度及DC偏置电压特性等都将引起显著的容量降低，出现IC不能正常工作的现象。此外，虽然钽电容、OS-CON、铝电解电容，也可以作为与低ESR对应的产品使用。但请在充分确认了工作状况之后使用。　　

2

如选用钽电容为负载电容的相应产品，请使用最低10μpF以上的电容。使用于输出电流为100mA以上的用途时，请连接负载电容值在100μF以上的钽电容。请选择等效串联电阻(ESR)值在0.1Ω～0.5Ω之间的负载电容。把低ESR的电容 (OS-CON等)作为负载电容使用时，由于产品不同，也许不能完全地进行IC的相位补偿，产生异常振荡的现象。请注意基本上不应使用陶瓷电容。此外，与钽电容对应的产品时，虽然也可使用OS-CON、铝电解电容，请在充分确认工作状态之后使用。　　

3

在使用铝电解电容为负载电容时，请注意低温时容量降低及ESR的上升，选择标准电2～3倍以上的负载电容。请与10μF以上的钽电容或大致为0.1μF～1μF的陶瓷电容并联使用。在使用铝电解电容时，请注意额定纹波电流。当纹波电流过大时，引起发热会导致使用寿命缩短。
(请在输出纹波电压为50mV以下的范围内选用。)　　

输入电容（CIN）

1

作为降压DC/DC转换器，输入电容是作为消除电源纹波的电容，连接时应尽可能靠近IC。

2

作为升压DC/DC转换器，为了降低输入电源的阻抗成分的影响，请与Cin连接。与负载电容不同，不需考虑Cin的电容种类不同，尽可能选择ESR值较低的电容。　

外置晶体管

用于输入电压在1.2V以下的用途，因为会出现得不到使功率MOSFET处于导通时的栅极电压状态，请使用双极性晶体管。当用于输出电流大的用途，请使用导通电阻小的功率MOSFET。

使用大电流型的双极性晶体管时，一般情况下，电流增幅率 hFE小，将导致基极电流增大，比MOSFET的效率恶化。

功率MOSFET

1

请使用输入电容Ciss ，及输出电容Coss 小的产品。请使用电容值在1000pF以下的功率MOSFET。　　

2

请使用开关速度快(导通时的延迟时间td(on)短、tr的上升时间短、关闭的延迟td(off)短)的产品。随着开关速度加快，电路的效率也升高。　

3

请使用栅极、源极之间的关闭电压 Vgs(off)与输入电压相比非常小的产品。当IC的电源电压低于1.2V左右时，请使用双极性晶体管。升压DC/DC转换器开始启动时，需要给 IC 的电源端子施加高于 Vgs(off)的电压。　

4

请使用漏极和源极之间的导通电阻Rds(on)小的产品。 但是一般情况下，导通电阻极低的产品其电容值Ciss,Coss 都有变大的倾向。Rds(on)和Ciss，Coss之间存在着折衷的关系。　　

5

在使用升压DC/DC转换器时，请使用额定电流在峰值电流2～3倍左右的产品。 (降压DC/DC转换器的情况下，以输出电流×降压比×2倍为标准)。请在实际使用的机器上确认发热状况后进行选用。特别是PFM调制的情况下，峰值电流值增大，请多加注意。　　

6

在使用升压DC/DC转换器时，请选用额定电压为输出电压(在使用降压DC/DC转换器时为输入电压)的1.5倍以上的产品。实际上，请在实用机器上确认端子之间的电压不超过额定电压。　　

7

因为通常认为所有电路上的损耗(效率降低部分)都消耗在晶体管上，所以应按此范围选择产品的额定损耗。在输出电压高、输出电流大的状态下，请选择具有能充分承受功率消耗余地的产品。此外，请确认在使用温度范围内器件的发热状况，必要时需采取散热对策。　　

双极性晶体管

1

请使用电流增幅率 hFE 大致在100～500范围内的产品。一般情况下，hFE 极大的晶体管其基极电流小、极间反向饱和电流大，需加以注意。　

2

尽可能使用开关速度快(导通时的延迟时间ton短、tf短的下降时间、tstg的积蓄时间短)的产品。随加快开关速度，其效率效率也提高。请使用集电极的输出容量 Cob 小(大致以10pF 为标准)的产品。　　

双极性晶体管的RB、CB值

基极电阻(RB)

请使用基极电阻(RB)在250Ω～2kΩ的范围内的产品。在250Ω以下时，将影响IC端的工作状态。

请在上述范围内使用。

当降低RB值时，(大致为200Ω～500Ω)、虽输出电流增大、但小负载时效率降低。

当增大RB值时，(大致为750Ω～2kΩ)、虽输出电流减小，但小负载时效率提高。

当晶体管成导通(ON)的状态时，按以下公式由集电极的电流值ISW(IC)算出RB值。考虑电流增幅率hFE的不均匀等，作为实际使用时的ISE(IC)，请按实际状态的3倍以上的值进行计算。

ISW(IC)=hFE x IB = Vout ÷ (RB + REXTH)

RB≦(Vout-0.7)×hFE ÷ ISE(IC) - REXTH

Ex.) Iin=100mA, Vout=5.0V, hFE=200, 250Ω≦RB≦1.4kΩ

加速电容(CB)

为了提高效率，插入加速电容CB。

根据RB値及开关调整器的振荡频率 fosc、调整CB值。

请把以下公式作为大致标准，选用CB值。开关速度加快、效率也得到提高。

CB ≧ 1÷(2π x RB x fosc x 0.7)
Ex.) fosc=100kHz、CB=2200pF～3300pF
RB=1kΩ,

增大CB值，虽然开关速度加快，但消耗电流也增多。

一定程度上即使再增大CB值，开关速度的变化减小，不起效果。请把上式作为参考使用。

阅读全文

开拓者ing

很不错的资料

开拓者ing

谢谢分享

gaon2

说的很全面，很详细，赞

feixiang20

支持【原创】