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本文来介绍一下ROHM推出的完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品，都有哪些机型。全SiC功率模块由ROHM自主生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD组成。与Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。全SiC功率模块正在不断进化，最新产品搭载了最新的第三代SiC-MOSFET。
何谓全SiC功率模块 ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。关于这一点，根据这之前介绍过的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特点与性能，可以很容易理解。
目前，ROHM正在量产的全SiC功率模块是二合一型模块，包括半桥型和升压斩波型两种。另外产品阵容中还有搭载NTC热敏电阻的产品类型。
以下整理了现有机型产品阵容和主要规格。1200 V耐压80A～600A的产品种类齐全，400A和600A的两种机型近期刚刚开发出来。产品阵容拥有覆盖IGBT模块市场主要额定电流100 A～600 A的丰富产品。
进步明显的全SiC功率模块 最新的全SiC功率模块采用最新的SiC-MOSFET-（即第三代沟槽结构SiC-MOSFET），以进一步降低损耗。以下为示例(BSM120D12P2C005和BSM180D12P3C007)。
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发表于 2019-2-11 13:06:29
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