SiC材料做成的器件又会有什么过人之处

feixiang20

目前IGBT和MOSFET都是广泛使用的功率器件，特别是在高压电力电子领域IGBT应用更为普遍。那么，IGBT和MOSFET究竟有哪些区别呢？其实它们的结构非常相似，正面采用多晶硅与漂移区形成金属-氧化物-半导体结构，作为门极；漂移区普遍采用N型掺杂的半导体来承受阻断电压；门极施加正压（高于器件阈值电压）时，器件导通，通态电流在漂移区纵向流动。区别主要在于IGBT在漂移区背面有P+注入作为集电极，而MOSFET直接在N漂移区背面淀积金属作为漏极。IGBT背面的P+决定了它是双极型器件，在器件导通时，发射极注入电子，而集电极注入空穴，两种载流子均参与导电。在器件关断时，多余的空穴只能在体内进行复合，从而造成拖尾电流，增加了关断损耗，限制了开关频率的提高。而且在高温下，拖尾电流更加明显，造成更大的关断损耗。目前IGBT能实现系统的开关频率均在100kHz以下。而MOSFET只依赖电子进行导电，关断时电子可以迅速被抽走，没有拖尾电流，因而关断损耗更小，且基本不随温度变化。
相比于其它SiCMOSFET, CoolSiCTM MOSFET有以下独特的优势

为了与方便替换现在的Si IGBT，CoolSiCTM MOSFET推荐驱动电压为15V，与现在Si基IGBT驱动需求兼容。CoolSiCTM MOSFET典型阈值电压4.5V, 高于市面常见的2~3V的阈值电压。比较高的阈值电压可以避免门极电压波动引起的误触发。

CoolSiCTM MOSFET有优化的米勒电容Cgd 与栅源电容Cgs比值，在抑制米勒寄生导通的同时，兼顾高开关频率。

大面积的深P阱可以用作快恢复二极管，具有极低的Qrr与良好的鲁棒性

CoolSiCTM  MOSFET提供芯片，单管，模块多种产品。单管有TO-247 3pin 和    TO-247 4pin，开尔文接法可以防止米勒寄生导通，并减少开关损耗。模块有EASY1B,EASY 2B, 62mm等等, 可以覆盖多种功率等级应用。模块采用低寄生电感设计，为并联设计优化，使PCB布线更容易

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wudianjun2001

不错的资料

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