集射极电压高达600V的IGBT，具有低饱和压降

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罗姆(ROHM)是半导体和电子零部件领域著名的制造商和行业领先者，其推出的TO-247N封装的RGCLXXTS60系列（RGCL60TS60和RGCL80TS60）绝缘栅双极型晶体管（IGBT）具有低饱和压降、低开关损耗和软切换特点，且符合无铅标准和RoHS认证，是一款绿色环保的电子元器件，是放电电路、部分开关PFC和变频器制动器等领域的理想选择。

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图1 RGCLXXTS60系列绝缘栅双极型晶体管封装和电气原理图

RGCLXXTS60系列绝缘栅双极型晶体管的集电极-发射极电压VCES最大值均为600V，集电极-射极饱和压降VCE（sat）的典型值均为1.4V，低压降可以让器件易于驱动。RGCL60TS60和RGCL80TS60晶体管，在25℃时，集电极电流IC最大值分别48/65A；100℃时，集电极电流IC最大值分别为30/40A，在25℃下的功耗PD分别为111/148W，可应用高压大电流的电力系统。另外，其工作结温范围为-40℃~+175℃，存储温度范围在-55℃~+175℃，能够耐受高低温苛刻的温度环境，具有更高的电气可靠性、稳定性和安全性。两款IGBT的结壳热阻Rθ(j-c)分别为1.34/1.01℃/W，热传导性能比较好，可以为大功率产品应用提供良好的散热，能有效降低冷却成本。

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在IC=30/40A，VCC=400V，VGE=15V，RG=10Ω，Tj=25℃的感应负载下，RGCL60TS60和RGCL80TS60绝缘栅双极型晶体管的开通延迟时间td(on)典型值分别为44/53ns，上升时间tr典型值为27/34ns，关断延迟时间td(off)典型值为186/227ns，下降时间tf典型值为178/204ns，具有有开关速度快和切换速度高的优点。同时，其开通能量损耗Eon典型值仅为0.77/1.11mJ，关断能量损耗Eoff典型值为1.11/1.68mJ。开关损耗极少，开通和关断过程中的产热少，能量利用率高。另外，两款产品的栅极电荷总量Qg典型值为68/98nC，栅极-发射极电荷Qge典型值为13/20nC，栅极-集电极电荷Qgc典型值为27/38nC，电荷量低，开关充放电时间短，可用于需要高速切换的应用场合。

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RGCLXXTS60系列绝缘栅双极型晶体管的特点：

·软切换

·低开关损耗

·更低的集电极-射极饱和压降

·符合无铅标准和RoHS认证

RGCLXXTS60系列绝缘栅双极型晶体管的应用领域：

·放电电路

[color=rgba(0, 0, 0, 0.65)]·部分开关PFC
·变频器制动器

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