请选择 进入手机版 | 继续访问电脑版
搜索
热搜: ROHM 模拟 车载
查看: 742|回复: 1

[分享] BSM250D17P2E004:高可靠性1700V全SiC功率模块

[复制链接]

该用户从未签到

2248

主题

1万

帖子

1

精华

论坛元老

最后登录
2024-3-28
发表于 2019-3-25 13:19:26 | 显示全部楼层 |阅读模式
ROHM面向以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的工业设备用电源的逆变器和转换器,开发出实现行业领先*可靠性的、额定值保证1700V/250A的全SiC功率模块“BSM250D17P2E004”。
*截至2018年10月26日 ROHM调查数据




需求高涨的1700V耐压全SiC功率模块
近年来,由于SiC产品的节能效果优异,以1200V耐压为主的SiC产品在汽车和工业设备等领域的应用日益广泛。系统呈高电压化发展趋势,1700V耐压产品的需求日益旺盛。然而,1700V耐压产品受可靠性等因素影响,迟迟难以推出SiC产品,目前主要使用IGBT。
此次开发的1700V模块采用新涂覆材料和新工艺方法,成功地预防了绝缘击穿,并抑制了漏电流的增加。另外,在高温高湿反偏试验中,呈现出极高可靠性,超过1,000小时也未发生绝缘击穿现象,从而成功推出了额定值保证1700V/250A的全SiC功率模块。
在高温高湿环境下确保行业领先的可靠性
1700V全SiC功率模块BSM250D17P2E004通过采用新涂覆材料作为芯片的保护对策,并引进新工艺方法,使模块通过了高温高湿反偏试验(HV-H3TRB:High Voltage High Humidity High Temperature Reverse Bias)。




对BSM250D17P2E004和同等IGBT模块实施了HV-H3TRB高温高湿反偏试验,试验条件为在85℃/85%的高温高湿环境下,施加1360V。试验结果是IGBT模块比较早期出现绝缘劣化或绝缘击穿导致的漏电流增加现象,在1,000小时内发生了故障。而新开发的SiC功率模块即使超出1,000小时也未发生绝缘击穿,表现出极高的可靠性。
导通电阻更低,有助于进一步降低设备损耗
构成BSM250D17P2E004的SiC SBD(肖特基势垒二极管)和SiC MOSFET全部由ROHM生产。通过SiC SBD和SiC MOSFET的最佳组合配置,使导通电阻低于同等普通产品10%。这将非常有助于进一步降低应用的能耗。




<SiC功率模块的产品阵容>
产品名称绝对最大额定值(Ta=25℃)电感
(nH)
封装热敏电阻内部电路图※
VDSS
(V)
VGS
(V)
ID
(A)
〔Tc
=60℃〕
Tj max
(℃)
Tstg
(℃)
Visol
(V)
〔AC
1min.〕
BSM080D12P2C0081200-6~2280175-40~125250025C type
45.6x122x17mm
BSM120D12P2C005120
BSM180D12P3C007-4~22180
BSM180D12P2E002-6~2218013E Type
62x152x17mm
BSM300D12P2E001300
BSM400D12P3G002-4~2240010G Type
62x152x17mm
BSM600D12P3G001600

BSM250D17P2E004
1700-6~22250 340013E Type
62x152x17mm
※ 产品阵容中包括Chopper型产品。

电源设计的技术资料 免费 下载

回复

使用道具 举报

该用户从未签到

2384

主题

9828

帖子

0

精华

论坛元老

最后登录
2023-9-26
发表于 2019-3-25 15:30:50 | 显示全部楼层
BSM250D17P2E004:高可靠性1700V全SiC功率模块
回复 支持 反对

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 注册/登录

本版积分规则

关闭

站长推荐上一条 /2 下一条

Archiver|手机版|小黑屋|罗姆半导体技术社区

GMT+8, 2024-3-29 08:20 , Processed in 0.106800 second(s), 13 queries , MemCache On.

Powered by Discuz! X3.4

Copyright © 2001-2021, Tencent Cloud.

快速回复 返回顶部 返回列表