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罗姆(ROHM)株式会社是全球最知名的半导体厂商之一，RGT8NL65D,RGT16NL65D,RGT30NL65D,RGT40NL65D,RGT50NL65D是其推出的低集电极 - 发射极饱和电压，低开关损耗的5款场截止沟槽型IGBT。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。 
图1 5款场截止沟槽型IGBT的产品图
图2为5款场截止沟槽型IGBT的符号图，引脚1为门极，引脚2为集电极，引脚3为发射极。
图2 5款场截止沟槽型IGBT的符号图
5款场截止沟槽型IGBT均采用TO-263L(LPDL)封装，封装尺寸极小，适用于各种小空间的系统设计，具体如图3。
电气特性方面，5款场截止沟槽型IGBT的集电极-发射极电压均为650V，门极-发射极电压均为±30V，工作结温均为-40℃~175℃，存储温度均为-55℃~175℃，满足工业级温度要求。除此之外，集电极电流等电气参数如图4所示。
图4 5款场截止沟槽型IGBT的电气参数
RGT8NL65D,RGT16NL65D,RGT30NL65D,RGT40NL65D,RGT50NL65D截止沟槽型IGBT的产品特征： 1）低集电极 - 发射极饱和电压
2）低开关损耗
3）短路耐受时间为5μs
4）内置超快速和软恢复FRD（RFN系列）
5）不含铅符合RoHS标准 6）TO-263L(LPDL)封装
RGT8NL65D,RGT16NL65D,RGT30NL65D,RGT40NL65D,RGT50NL65D截止沟槽型IGBT的产品特征：
通用变频器 UPS 功率调节器 焊机
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发表于 2019-3-29 14:38:18
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