汽车级低侧开关IC BV1LB028FPJ-C、BV1LB045FPJ-C，导通电阻低至28m...

shakencity

罗姆(ROHM)株式会社是全球最知名的半导体厂商之一，其于2018年新推出的BV1LB028FPJ-C和BV1LB045FPJ-C均为汽车级单通道低侧开关IC，为单片式电源管理芯片，控制模块（CMOS）和功率MOSFET安装在单芯片上。均已通过AEC-Q100认证，满足汽车级产品使用需求，非常适用于驱动电阻、电感、电容负载等领域。

图1  BV1LB028FPJ-C和BV1LB045FPJ-C低侧开关IC

BV1LB028FPJ-C和BV1LB045FPJ-C低侧开关IC在电气方面均具有高可靠性。内置过流保护功能（OCP），可有效防护电流过高对IC造成的损害；且内置热关断功能（TSD），能够检测芯片内部温度，避免过高的温升对芯片造成不可逆的损害；内置有源钳位电路，可以有效防止电位突变，抑制尖峰电压，避免尖峰电压对IC的损害，保护后端电路。

在电气参数方面。BV1LB028FPJ-C和BV1LB045FPJ-C低侧开关IC的输入电压范围均为3V~5.5V（典型值5V），输出钳位电压典型值为48V；BV1LB028FPJ-C和BV1LB045FPJ-C的最大的差别在于导通电阻，在VIN = 5V、IOUT = 2.4A、Tj = 25℃时BV1LB028FPJ-C的导通电阻典型值为28mΩ，BV1LB045FPJ-C的导通电阻典型值为45mΩ。相较之下BV1LB028FPJ-C具有更低的通态损耗，导通状态热损更低；另外，BV1LB028FPJ-C和BV1LB045FPJ-C的过电流检测电流典型值分别为40A和24A，设计者需根据实际电路电流需求合理选择；在有源钳位能量方面，BV1LB045FPJ-C的消耗更低，BV1LB028FPJ-C和BV1LB045FPJ-C的有源钳位能量分别为300mJ和150mJ（Tj(START) = 25°C)。

BV1LB028FPJ-C和BV1LB045FPJ-C低侧开关IC的储存温度范围均为-55℃~150℃，可允许的最大结温为150℃，工作温度范围为-40℃~150℃，满足汽车级产品的使用需求。均采用TO252-J3封装，封装尺寸均为6.60mm*10.07mm*2.50mm，其引脚配置如下：

图2  BV1LB028FPJ-C和BV1LB045FPJ-C低侧开关IC引脚配置

BV1LB028FPJ-C和BV1LB045FPJ-C低侧开关IC突出特点与优势

·已通过AEC-Q100认证

·内置过流保护功能（OCP）

·内置热关断功能（TSD）

·内置有源钳位功能

·从CMOS逻辑IC启用直接控制

·BV1LB028FPJ-C的导通电阻典型值为28mΩ（VIN=5V、IOUT=2.4A、Tj=25℃）

·BV1LB045FPJ-C的导通电阻典型值为45mΩ（VIN=5V、IOUT=2.4A、Tj=25℃）

·单片电源管理IC，控制模块（CMOS）和功率MOSFET安装在单芯片上

BV1LB028FPJ-C和BV1LB045FPJ-C低侧开关IC应用领域

·驱动电阻

·电感

·电容负载

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feixiang20

看看了

shakencity

feixiang20 发表于 2019-4-13 18:56
看看了

谢谢回复！

eddiecheng

Thanks for sharing