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2019年3月19日，全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）推出600V耐压超级结MOSFET“PrestoMOS”（极快）系列产品，在保持极快反向恢复时间（trr））的同时，提高设计灵活度，非常适用于空调、冰箱等白色家电的电机驱动以及EV充电桩。近日，该系列产品群又新增了“R60xxJNx系列”共30种机型。
此次开发的新系列产品同样利用了ROHM独有的寿命控制技术，实现了极快的反向恢复时间（trr）。与IGBT相比，轻负载时的功耗成功减少了58%左右。另外，通过提高导通MOSFET所需要的电压水平，避免发生造成损耗增加原因之一的误开启（Self Turn-on）现象）。不仅如此，还通过优化内置二极管的特性，改善了超级结MOSFET特有的软恢复指数），可减少引发误动作的噪声干扰。通过减少这些阻碍用户优化电路时的障碍，提高设计灵活度。
据了解，在全球的电力需求中，近50%用于电机驱动，随着白色家电在新兴国家的普及，电机驱动带来的电力消耗量预计会逐年增加。包括空调和冰箱在内，白色家电多使用变频电路进行电机驱动，而变频电路的开关元件一般使用IGBT。但是，近年来在节能性能需求高涨的大趋势下，可有效降低设备稳定运行时功耗的MOSFET正在逐步取代IGBT。
在这种背景下，ROHM于2012年首家实现以极快反向恢复特性为特点的功率MOSFET PrestoMOS的量产，由于该系列产品可大大降低应用的功耗而受到市场的高度好评。
通常，MOSFET具有快速开关以及在低电流范围的传导损耗低的优势。例如，用于空调的情况下，非常有助于稳定运转时实现低功耗。PrestoMOS正是在低电流范围实现低功耗的、以极快的反向恢复时间（trr）为特点的ROHM独创的功率MOSFET。 
开关速度的高速化与误开启现象、噪声干扰是相悖的，用户在电路设计时需要通过调整栅极电阻来进行优化。与一般的MOSFET相比，ROHM的R60xxJNx系列已经具备了误开启现象以及噪声对策，有助于提高用户的设计灵活度。
1. 避免增加损耗的误开启对策 本系列产品通过优化MOSFET结构上存在的寄生电容，将开关时的额外栅极电压降低了20％。另外，使MOSFET导通所需的阈值电压（Vth）增加了约1.5倍，是“不易产生误开启现象的设计”。因此，扩大了用户通过栅极电阻来进行损耗调节的范围。
2. 改善恢复特性，减少噪声干扰。 通常，超级结MOSFET的内置二极管的恢复特性为硬恢复。但是，ROHM的R60xxJNx系列，通过优化结构，与以往产品相比，新产品的软恢复指数改善了30％，不仅保持了极快的反向恢复时间（trr），还成功减少了噪声干扰。因此，用户通过栅极电阻调节噪音干扰时变得更加容易。
产品阵容 
应用举例 空调、冰箱、工业设备（充电桩等）
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发表于 2019-4-14 12:31:34
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