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[分享] 1200V低功耗SiC-MOSFET SCH2080KE,开关损耗可减少90%,有效减少...

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发表于 2019-4-22 16:40:48 | 显示全部楼层 |阅读模式

日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器,开发出耐压高达1200V 的第2 代SiC(Silicon carbide:碳化硅)MOSFET"SCH2080KE"。此产品损耗低,可靠性高,在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。


现在,在1200V级别的逆变器和转变器中一般使用Si-IGBT,但尾电流和外置FRD的恢复导致的功率转换损耗较大,因此,更低损耗、可高频动作的SiC-MOSFET的开发备受期待。但是,传统的SiC-MOSFET,体二极管通电 导致的特性劣化(导通电阻和正向电压的上升/耐性劣化)和栅氧化膜故障等可靠性方面的课题较多,之前无法实现真正的全面导入。


此次,罗姆通过改善晶体缺陷相关工艺和元件构造,成功地攻克了包括体二 极管在内的可靠性方面的所有课题。而且,与传统产品相比,单位面积的导通电阻降低了约30%,实现了芯片尺寸的小型化。 另外,通过独创的安装技术,还成功将传统上需要外置的SiC-SBD 一体化封 装,使SiC-MOSFET 的体二极管长久以来的课题—降低正向电压成为可能。 由此,与一般的逆变器中所使用的Si-IGBT 相比,工作时的损耗降低了70% 以上,实现了更低损耗的同时,还实现了50kHz以上的更高频率,而且有助于外围部件的小型化。


另外,此次还同时开发了与SiC-SBD 非同一封装的型号SiC-MOSFET"SCT2080KE",提供满足不同电路构 成和客户需求的产品。




低功耗SiC-MOSFET SCH2080KE特点:

1) SiC-MOSFET与SiC-SBD 一体化封装
成功实现"SCH2080KE"与传统上需要外置的SiC-SBD的一体化封装,降低了正向电压。可减少部件个数,而且有助于进一步节省空间。产品阵容中还包括传统结构的"SCT2080KE",可满足客户的多种需求


2) 无开启电压,具备卓越的电流电压特性
通过优化工艺和元件构造,与第1代产品相比,单位面积的导通电阻降低约30%。不存在一般使用的Si-IGBT 长久以来所存在的开启电压,因此即使在低负载运转时损耗也很低。


3) 正向电压降低70%以上,减少了损耗和部件个数
SiC-MOSFET的体二极管,在SiC物质特性的原理上决定了其开启电压较大,高达2.5V以上,常常成为逆变器工作时的损耗。"SCH2080KE"集SiC-SBD 与SiC-MOSFET于同一封装内,大大降低了正向电压。不仅损耗更低,还可减少部件个数。


4) 无尾电流,可进行低损耗开关
由于不会产生Si-IGBT中常见的尾电流,因此关断时的开关损耗可减少90%,有助于设备更加节能。另外,达 到了Si-IGBT 无法达到的50kHz以上的开关频率,因此,可实现外围设备的小型化、轻量化。


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发表于 2019-4-22 22:25:59 | 显示全部楼层
看看了
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 楼主| 发表于 2019-4-23 15:58:20 | 显示全部楼层

谢谢回复
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发表于 2019-4-23 18:38:49 | 显示全部楼层
看一下,学习咯
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 楼主| 发表于 2019-4-24 13:39:34 | 显示全部楼层

谢谢回复!
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